[实用新型]一种用于絮凝沉淀池中的絮凝结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种絮凝结构，尤其是涉及一种用于絮凝沉淀池中的絮凝结构，属于絮凝沉淀池中的一个部件，絮凝沉淀池属于污水处理系统中的一个装置。

背景技术

由于目前还没有一种结构简单，设计合理，性能可靠的用于絮凝沉淀池中的絮凝结构，使得常用的絮凝沉淀池的结构设计不够合理，性能不够可靠，工作效率较低，在沉淀池本体的上部设置有溢流孔，污水直接放入絮凝沉淀池中进行沉淀，一部分未经过沉淀的污水直接通过溢流孔排出，污水中需要沉淀的物质的沉淀效果较差，所形成的沉淀物在自身重力的作用下沉降到絮凝沉淀池的底部，从而降低了絮凝沉淀池的污水处理的能力，也影响了污水处理的效果。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的上述不足，而提供一种结构设计合理，性能可靠，工作效率高，污水处理效果好的用于絮凝沉淀池中的絮凝结构。

本实用新型解决上述问题所采用的技术方案是：该用于絮凝沉淀池中的絮凝结构的结构特点在于：包括沉降筒和固定支架，所述沉降筒包括筒体和导流罩，所述筒体为圆柱形结构，所述导流罩为圆台形结构，该导流罩的形状和大小均与筒体相匹配，所述导流罩固定在筒体的底部，所述沉降筒固定在固定支架上，该沉降筒呈竖直状结构。

作为优选，本实用新型所述固定支架呈水平状结构。

作为优选，本实用新型所述沉降筒通过焊接固定在固定支架上。

本实用新型与现有技术相比，具有以下优点和效果：结构简单，设计合理，对污水的沉降效果好，污水处理能力强，需要进行沉降的污水通过污水输入管进入沉降筒中，在水压的作用下，沉降筒中的污水沿沉降筒向下流动，污水在向下流动的过程中，一部分沉淀物出现沉淀，这些沉淀物沉淀到沉淀池本体的底部，当沉降筒中的污水从沉降筒中流出后，再向上流动，污水在向上流动的过程中，另一部分沉淀物也出现沉淀，这些沉淀物也沉淀到沉淀池本体的底部。由于进入絮凝沉淀池中的污水先向下流动，然后再向上流动，使得污水的沉淀更加充分，对污水的处理效果更好。

附图说明

图1是本实用新型实施例中用于絮凝沉淀池中的絮凝结构的结构示意图。

图2是本实用新型实施例中絮凝沉淀池的结构示意图。

图3是在图2中标注有水流方向后的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图并通过实施例对本实用新型作进一步的详细说明，以下实施例是对本实用新型的解释而本实用新型并不局限于以下实施例。

实施例。

参见图1至图3，本实施例中用于絮凝沉淀池中的絮凝结构包括沉降筒5和固定支架6，其中，沉降筒5包括筒体51和导流罩52，筒体51为圆柱形结构，导流罩52为圆台形结构，该导流罩52的形状和大小均与筒体51相匹配，导流罩52固定在筒体51的底部。

本实施例中的沉降筒5固定在固定支架6上，通常情况下，该沉降筒5通过焊接固定在固定支架6上。本实施例中的固定支架6呈水平状结构，沉降筒5呈竖直状结构。

本实施例中的用于絮凝沉淀池中的絮凝结构属于絮凝沉淀池中的一个部件，该絮凝沉淀池包括沉淀池本体1、污水输入管2、污泥输出管3、控制阀4、沉降筒5和固定支架6，在沉淀池本体1的上部设置有溢流孔11，经过沉淀处理后的水从溢流孔11流出。本实施例中的污泥输出管3安装在沉淀池本体1的底部，控制阀4安装在污泥输出管3上，控制阀4用于控制位于沉淀池本体1底部的污泥从污泥输出管3输出。

本实施例中的固定支架6固定在沉淀池本体1内，该固定支架6呈水平状结构，沉降筒5固定在固定支架6上，通常情况下，该沉降筒5通过焊接固定在固定支架6上。本实施例中的沉降筒5呈竖直状结构，该沉降筒5位于沉淀池本体1的中心处，即沉降筒5位于沉淀池本体1的污泥输出口的正上方。

本实施例中沉降筒5的顶部高于沉淀池本体1中的溢流孔11，污水输入管2固定在沉降筒5的顶部，需要进行沉淀处理的污水能够通过污水输入管2输入沉降筒5中。由于沉降筒5的顶部高于沉淀池本体1中的溢流孔11，且沉降筒5的横截面小于沉淀池本体1的横截面，使得进入沉降筒5中的污水能够快速的向下流动，最后从沉降筒5的底部流出，然后在沉淀池本体1中向上流动，最后通过沉淀池本体1中的溢流孔11流出。污水在沿沉降筒5向下流动的过程中，污水中会形成一部分沉淀；污水从沉降筒5的底部流出后进入沉淀池本体1，并在沉淀池本体1中向上流动的过程中，污水也会形成一部分沉淀，使得沉降更加充分，最后经过沉降处理的水从沉淀池本体1的溢流孔11中流出；由此可见，对污水的沉降效果好。

此外，需要说明的是，本说明书中所描述的具体实施例，其零、部件的形状、所取名称等可以不同，本说明书中所描述的以上内容仅仅是对本实用新型结构所作的举例说明。凡依据本实用新型专利构思所述的构造、特征及原理所做的等效变化或者简单变化，均包括于本实用新型专利的保护范围内。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离本实用新型的结构或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本实用新型的保护范围。