[实用新型]尖峰过电压吸收器

说明书

技术领域

本实用新型涉及可控硅整流励磁技术领域，具体涉及一种尖峰过电压吸收器。

背景技术

目前可控硅整流励磁系统电源侧出现的过电压主要由尖峰吸收器加以限制，随着发电机容量越来越大，可控硅性能的提高，可控硅整流桥换相时直流侧出现的尖峰过电压其值最高可能达到整流系统阳极电压的2.5倍，如果不加以限制，长期累积可能引起转子系统绝缘的击穿事故，甚至引起相关元器件的烧毁以及停机事故。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种限压效果好、能量释放快，体积小的过电压吸收装置。

为了解决背景技术中所存在的问题，本实用新型是采用以下技术方案：它包括非线性电阻FR1、FR2、快速熔断器RD、电容C、电阻R；

所述非线性电阻FR1一端作为端口，另一端与快速熔断器RD一端串联，快速熔断器RD另一端分别与电阻R一端、电容C一端、非线性电阻FR2一端连接，电阻R另一端分别与电容C另一端、非线性电阻FR2另一端连接，连接点作为另一端口。电阻R、电容C组成一个高频通道将可控硅换相时产生的高频尖峰电压传输给非线性电阻FR1，非线性电阻FR1动作吸收尖峰过电压，并且限制高频尖峰电压不超过一定的幅度，从而保证了可控硅换相时不会引起转子回路的过高电压，非线性电阻FR2是电阻R、电容C支路的保护元件，因为在特定频率下，支路有可能产生谐振而出现过高的电压，致使电阻R、电容C元件损坏，故当电压超过非线性电阻FR2动作电压时，非线性电阻FR2动作保护电阻R、电容C元件。

本实用新型的尖峰过电压吸收器，采用非线性电阻和阻容件串联组合的结构，充分利用了非线性电阻的非线性伏安特性，将电压限制在某一范围内，同时考虑尖峰电压的能量分布，利用电容两端电压不能突变的特点，将尖峰过电压的前端高电压部分的能量吸收在非线性电阻组件中，其他能量由非线性电阻和电容共同吸收，在尖峰电压过去以后，电容的能量通过电阻快速释放掉。从而本实用新型能量释放快、限压效果好。

附图说明

图1是本实用新型的电气原理图

具体实施方式

参见图1，一种尖峰过电压吸收器，它包括非线性电阻FR1、FR2、快速熔断器RD、电容C、电阻R；

所述非线性电阻FR1一端作为端口，另一端与快速熔断器RD一端串联，快速熔断器RD另一端分别与电阻R一端、电容C一端、非线性电阻FR2一端连接，电阻R另一端分别与电容C另一端、非线性电阻FR2另一端连接，连接点作为另一端口。电阻R、电容C组成一个高频通道将可控硅换相时产生的高频尖峰电压传输给非线性电阻FR1，非线性电阻FR1动作吸收尖峰过电压，并且限制高频尖峰电压不超过一定的幅度，从而保证了可控硅换相时不会引起转子回路的过高电压，非线性电阻FR2是电阻R、电容C支路的保护元件，因为在特定频率下，支路有可能产生谐振而出现过高的电压，致使电阻R、电容C元件损坏，故当电压超过非线性电阻FR2动作电压时，非线性电阻FR2动作保护电阻R、电容C元件。

本实用新型的尖峰过电压吸收器，采用非线性电阻和阻容件串联组合的结构，充分利用了非线性电阻的非线性伏安特性，将电压限制在某一范围内，同时考虑尖峰电压的能量分布，利用电容两端电压不能突变的特点，将尖峰过电压的前端高电压部分的能量吸收在非线性电阻组件中，其他能量由非线性电阻和电容共同吸收，在尖峰电压过去以后，电容的能量通过电阻快速释放掉。从而本实用新型能量释放快、限压效果好。