[实用新型]电子设备内部的低杂散电感结构

权利要求书

1.一种电子设备内部的低杂散电感结构，其特征在于，包括五个电容组、负极母排、绝缘板、正极母排和IGBT模块；所述每个电容组的一端均与所述负极母排连接，所述每个电容组另一端均与所述正极母排连接，所述负极母排与所述正极母排叠层并排且与所述IGBT模块连接；所述负极母排与所述正极母排之间还设有一绝缘板，所述五个电容组相互平行且均匀分布。

2.根据权利要求1所述的电子设备内部的低杂散电感结构，其特征在于，低杂散电感结构还包括高频吸收、整流桥、正极电流和负极电流；所述正极电流和所述负极电流分别与所述整流桥连接，所述高频吸收与所述IGBT模块连接，所述正极电流通过电流入点与所述正极母排连接，所述负极电流通过电流入点与所述负极母排连接。