[实用新型]一种高精度DC/DC转换器限流电路有效

专利信息
申请号: 201220254956.0 申请日: 2012-05-30
公开(公告)号: CN202586736U 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 袁小云;王晓飞;孙权 申请(专利权)人: 西安航天民芯科技有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710075 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 高精度 dc 转换器 限流 电路
【权利要求书】:

1.一种高精度DC/DC转换器限流电路,其特征在于,包括EA误差放大器和电流限制补偿电路。

2.如权利要求1所述的一种高精度DC/DC转换器限流电路,其特征在于,所述EA误差放大器为共源共栅单级放大器,包括七个P型MOS管和四个N型MOS管,其连接方式为:第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接;第二P型MOS管MP2的栅极与该误差放大器的同向输入端连接;第三P型MOS管MP3的栅极与该误差放大器的反向输入端连接;第二P型MOS管MP2的漏极、第三N型MOS管MN3的源极与第一N型MOS管MN1的漏极连接;第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管MN4的源极与第二N型MOS管MN2的漏极连接;第四P型MOS管MP4的栅极、第五P型MOS管MP5的栅极、第六P型MOS管MP6的漏极与第三N型MOS管MN3的漏极连接;第四P型MOS管MP4的漏极与第六P型MOS管MP6的源极连接;第五P型MOS管MP5的漏极与第七P型MOS管MP7的源极连接;第七P型MOS管MP7的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极与该误差放大器的输出端口Vout连接;第一P型MOS管MP1的栅极与偏置电压Vpb1连接;第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极与偏置电压Vpb2连接;第一N型MOS管MN1的栅极、第二N型MOS管MN2的栅极与偏置电压Vnb1连接;第三N型MOS管MN3的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极与偏置电压Vnb2连接,第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第五P型MOS管MP5的源极与电源VDD连接,第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极与地GND连接。

3.如权利要求1所述的一种高精度DC/DC转换器限流电路,其特征在于,所述电流限制补偿电路包括比较器和限流电路。

4.如权利要求3所述的一种高精度DC/DC转换器限流电路,其特征在于,所述比较器包括一个电流漏,五个P型MOS管和三个N型MOS管,其连接方式为:第零P型MOS管MP0的漏极、第零P型MOS管MP0的栅极、电流源I的输入端、第四P型MOS管MP4的栅极与第一P型MOS管MP1的栅极连接;第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接;该运算放大器的同向输入端口VP与第三P型MOS管MP3的栅极连接;该运算放大器的反向输入端口VN与第二P型MOS管MP2的栅极连接;第二P型MOS管MP2的漏极、第零N型MOS管MN0的栅极、第零N型MOS管MN0的漏极与第一N型MOS管MN1的栅极连接;第三P型MOS管MP3的漏极、第一N型MOS管MN1的漏极与第二N型MOS管MN2的栅极连接;第四P型MOS管MP4的漏极、第二N型MOS管MN2的漏极与运放的输出端Vout连接,第零P型MOS管MP0的源极、第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极与电源VDD连接,第零N型MOS管MN0的源极、第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极、电流源I的流出端与地GND连接。

5.如权利要求3所述的一种高精度DC/DC转换器限流电路,其特征在于,所述限流电路的连接方式为:第一运算放大器VO1的同相输入端与端口Vin连接;第二运算放大器VO2的同相输入端与端口Vo连接;第一运算放大器VO1的输出端与第零N型MOS管MN0的栅极连接;第二运算放大器VO2的输出端与第五N型MOS管MN5的栅极连接;第一运算放大器VO1的反相输入端、第零N型MOS管MN0的源极与电阻R1的一端连接;第二运算放大器VO2的反相输入端、第五N型MOS管MN5的源极与电阻R2的一端连接;第一P型MOS管MP1的漏极、第一P型MOS管MP1的栅极、第零N型MOS管MN0的漏极与第二P型MOS管MP2的栅极连接;第四P型MOS管MP4的漏极、第四P型MOS管MP4的栅极、第五N型MOS管MN5的漏极与第三P型MOS管MP3的栅极连接;第二P型MOS管MP2的漏极、第二N型MOS管MN2的漏极、第二N型MOS管MN2的栅极、第一N型MOS管MN1的栅极与第三N型MOS管MN3的漏极连接;第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极、第四N型MOS管MN4的栅极与第三N型MOS管MN3的栅极连接;电阻R3的一端与第一N型MOS管MN1的漏极连接;第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第三P型MOS管MP3的源极、第四P型MOS管MP4的源极、电阻R3的另一端与电源VDD连接,电阻R1的另一端、第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极、第三N型MOS管MN3的源极、第四N型MOS管MN4的源极、电阻R2的另一端与地GND连接。

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