[实用新型]双通道液体制冷多量子阱半导体激光器

权利要求书

1.双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，包括分别位于多量子阱芯片上方的上液体制冷器和下方的下液体制冷器、以及与多量子阱芯片处于同一层面用于隔离上、下液体制冷器的绝缘片；多量子阱芯片的负极面和/或正极面通过应力缓冲导电层与上液体制冷器和/或下液体制冷器连接；应力缓冲导电层的厚度使得多量子阱芯片位置处的总厚度与绝缘片位置处的总厚度相等。

2.根据权利要求1所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：所述应力缓冲导电层仅为负极连接块；多量子阱芯片的负极面通过负极连接块与上液体制冷器的下端面焊接；

或者所述应力缓冲导电层还包括一个弯折的电连接片，该电连接片弯折形成有两端平行的高、低两段，其中电连接片的高段贴合焊接在绝缘片的上端面与上液体制冷器的下端面之间，电连接片的低段贴合焊接在多量子阱芯片的负极面与所述负极连接块的下端面之间。

3.根据权利要求1所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：所述应力缓冲导电层仅为正极连接块，多量子阱芯片的正极面通过正极连接块与下液体制冷器的上端面焊接。

4.根据权利要求1所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：所述应力缓冲导电层包括负极连接块和正极连接块，多量子阱芯片的负极面和正极面分别通过负极连接块和正极连接块与上液体制冷器和下液体制冷器焊接。

5.根据权利要求1至4任一所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：在竖直方向上自上液体制冷器、绝缘片至下液体制冷器，内部贯穿设置有固定螺栓。

6.根据权利要求5所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：上液体制冷器的下端面与下液体制冷器的上端面之间设置有内部入液通孔和内部出液通孔，上液体制冷器与下液体制冷器通过所述内部入液通孔和内部出液通孔构成整体的液冷通道。

7.根据权利要求5所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特 征在于：应力缓冲导电层采用铜钨合金或者铜金刚石复合材料；焊料均采用软焊料。

8.根据权利要求5所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：上液体制冷器和/或下液体制冷器与相应的电连接块为一体件。

9.根据权利要求6所述的双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，其特征在于：在内部入液通孔和内部出液通孔处设置有橡胶密封圈。