[实用新型]一种待机功率控制电路及电子设备有效

专利信息
申请号: 201220246539.1 申请日: 2012-05-29
公开(公告)号: CN202632148U 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 吴仲滔 申请(专利权)人: 深圳市九洲电器有限公司
主分类号: G05F1/66 分类号: G05F1/66
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 贾振勇
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 待机 功率 控制电路 电子设备
【说明书】:

技术领域

实用新型属于电路领域,尤其涉及一种待机功率控制电路及电子设备。 

背景技术

现有的待机控制方案能够外部唤醒,可以是按键或远程遥控,还可能有实时时钟(Real-Time Clock,RTC)功能,状态指示功能。为了实现整机的多样化待机,必须采用微控制单元(Micro Control Unit,MCU)控制。常见的做法是各路电源受控于MCU,待机时都被关断,只剩下电源适配器和MCU工作。 

电源适配器的直流输出一般是12、9V或5V,甚至更低。而MCU最常见的是5V或3.3V供电,所以还需要增加直流降压供电,一般采用线性稳压电源LDO或DC-DC。在负载电流很小时,不仅适配器电源而且直流降压电路工作的效率都较低。 

为了满足能源节能规范要求,例如欧盟市场要求待机低于0.5W,现有的方案无法满足要求,电源适配器自身就有0.2-0.3W的功耗,低电流情况下,适配器效率极低,MCU工作时也容易达到0.4W。 

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种待机功率控制电路,旨在解决现有设备的待机功耗较高,无法满足节能要求的问题。 

本实用新型实施例是这样实现的,一种待机功率控制电路,所述电路包括: 

电容; 

与所述电容连接,对所述电容充电的降压转换器; 

与所述降压转换器连接,向所述降压转换器输出直流电的AC-DC适配器; 

与所述降压转换器、电容连接,监测所述电容的供电电压,并控制所述电压转换器对所述电容充电的MCU。 

进一步地,所述降压转换器采用集成DC-DC方式。 

进一步地,所述降压转换器支持同步方式、非同步方式两种工作模式。 

进一步地,所述降压转换器采用脉冲频率调变PFM工作模式。 

进一步地,所述MCU在待机模式下的中断响应采用按键响应方式。 

进一步地,所述MCU集成有欠压复位保护模块。 

本实用新型实施例还提供一种电子设备,所述电子设备包含上述待机功率控制电路。 

本实用新型实施例中的待机功率控制电路短时间给电容充电,利用电容给MCU供电,可以大大降低设备待机时的平均功耗,满足节能要求。 

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的待机功率控制电路的结构图。 

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。 

本实用新型实施例中,待机功率控制电路短时间给电容充电,利用电容给MCU供电,可以大大降低设备待机时的平均功耗。 

图1示出了本实用新型实施例提供的待机功率控制电路的结构,为了便于说明,仅示出了与本实用新型实施例相关的部分。 

该待机功率控制电路适用于带外置适配器的各种电子产品中,例如电视或机顶盒,包括AC-DC适配器1、降压转换器2、电容3和MCU 4。 

AC-DC适配器1与降压转换器2连接,向降压转换器2输出直流电。降压 转换器2与电容3连接,为电容3充电。MCU 4降压转换器2、电容3连接,电容3为MCU 4供电。MCU 4监测电容3的供电电压,并控制电压转换器2为电容3充电。 

AC-DC适配器1为降压转换器2提供直流电。大部分AC-DC适配器效率都能达到80~90%,但这是在负载设备正常工作电流情况下达到的。而当负载设备处于待机较低电流情况下,AC-DC适配器的效率会严重降低。作为本实用新型的一个实施例,为提高AC-DC适配器1的工作效率,在满足常规规格条件下,AC-DC适配器1选择在一定负载范围内,特别是在轻负载时,效率尽量高的电源。 

降压转换器2采用集成DC-DC方式,工作在PWM开关控制的电流连续模式。DC-DC开关转换器有静态损耗和动态损耗两类电源损耗。静态损耗是不变的,与负载电流没有关系;相反,动态损耗会随着负载的加重而增加。 

动态损耗分为导通损耗和开关损耗。导通损耗在较高输出电流时占据支配地位;而开关损耗在较低输出电流时占据支配地位。 

导通损耗由负载决定,包括由电源的功率MOSFET和电感器两端的压降引起的损耗。负载电流越大,导致的导通损耗就越高。 

开关损耗,包括MOSFET的开关损耗、门驱动损耗和每一个开关周期都出现的体二极管损耗。 

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