[实用新型]一种射频识别读写模块有效
| 申请号: | 201220233337.3 | 申请日: | 2012-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN202795409U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
| 发明(设计)人: | 朱学敏;孙海;何晓鹏;邹青;邓坤光 | 申请(专利权)人: | 深圳市模块科技有限公司 |
| 主分类号: | G06K17/00 | 分类号: | G06K17/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 射频 识别 读写 模块 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种射频识别读写模块。
背景技术
射频识别即RFID(Radio Frequency IDentification)技术,又称电子标签、无线射频识别,是一种通信技术,可通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据,而无需识别系统与特定目标之间建立机械或光学接触。
超高频RFID射频识别是一种非接触式的自动识别技术,它通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据。一套完整的超高频RFID系统,是由超高频RFID读写器与电子标签及应用软件系统三个部份所组成,其工作原理是超高频RFID读写器发射一特定频率的无线电波能量给电子标签,用以驱动电子标签电路将内部的数据送出,此时超高频RFID读写器接收解读数据,送给应用程序做相应的处理,目前,嵌入式超高频RFID读写模块普遍存在的问题是功耗大、体积大、读写距离近、防冲突能力差。
实用新型内容
本实用新型提出一种射频识别读写模块,解决了现有技术中射频识别模块功耗大、体积大、读写距离近、防冲突能力差的问题。
本实用新型的技术方案是这样实现的:
本实用新型公开了一种射频识别读写模块,包括:与外部控制终端通信的基带处理电路、与所述的基带处理电路连接的对数据的编码解码调制解调的微波射频电路、与所述的基带处理电路及微波射频电路相连的用于对所述的基带 处理电路与微波射频电路供电的电源管理电路,所述的微波射频电路包括工作频段设置单元,工作频段设置单元的工作频段为:840MHz~960MHz。
在本实用新型所述的射频识别读写模块中,电源管理电路由第一级的开关电源芯片与第二级的降压电源芯片组成,第一级开关电源芯片的输入电压为3V到5.3V,输出电压5.3V,第二级降压电源芯片的输入端接第一级开关电源芯片的输出端,将5.3V降压为3.3V。
在本实用新型所述的射频识别读写模块中,所述的开关电源芯片为TPS61200芯片,降压电源芯片为MIC5205芯片。
在本实用新型所述的射频识别读写模块中,所述的基带处理电路采用ARM7AT91SAM7S256芯片作为主控MCU芯片。
在本实用新型所述的射频识别读写模块中,微波射频电路包括顺次相连的专用射频集成芯片、平衡转不平衡电路、功率放大电路、定向耦合器。
在本实用新型所述的射频识别读写模块中,所述的专用射频集成芯片采用AS3992芯片。
嵌入式超高频RFID读写模块基带处理电路一方面负责与外部控制终端通信,一方面进行6C协议处理控制微波射频电路进行数据的编码解码调制解调,并且对微波射频电路处理完毕传回的数据进行处理,基带处理电路采用ARM7AT91SAM7S256做为主控MCU。
本实用新型嵌入式超高频RFID读写模块微波射频电路由专用射频集成芯片、平衡转不平衡电路、功率放大电路、定向耦合器组成,专用射频集成芯片采用AS3992,微波射频电路的工作频段为840MHz~960MHz。
本实用新型与现有的技术相比,基带处理电路采用了性能强大的ARM7AT91SAM7S256做为主控MCU,这样模块的数据处理速度将会非常的快,配合较优秀的标签盘存算法将会使模块的防冲突能力大大加强,拥有每秒盘存100个以上标签的能力,而微波射频电路也采用了高性能的专用射频集成芯片AS3992做为射频核心处理器件,使得模块能够小型化,功耗低,读取距离远,读取距离可达1.5米以上,模块以最大功率工作时功耗为1.8W。
实施本实用新型的一种射频识别读写模块,具有以下有益的技术效果:
体积小、功耗低、读写距离远、防冲突能力强。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型一种射频识别读写模块的电路模块图;
图2是本实用新型一种射频识别读写模块的原理框图;
图3是本实用新型实施例的基带处理电路原理图;
图4是本实用新型实施例的电源管理电路原理图。
具体实施方式
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