[实用新型]非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备有效
申请号: | 201220233276.0 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN202643827U | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 文晓斌;栾亚 | 申请(专利权)人: | 文晓斌 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/52 |
代理公司: | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 | 代理人: | 郭防 |
地址: | 518104 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平衡 闭合 磁控溅射 离子镀 设备 | ||
1.一种非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,包括真空腔(1)和控制柜(3),其特征在于:真空腔(1)下方设有真空控制柜(2),控制柜(3)上设有手动操作界面(4)和全自动操作界面(5),真空腔(1)上设有侧开式炉门(23),真空控制柜(2)后方设有氩气瓶(8)和氮气瓶(9),真空控制柜(2)后面设有气体压力表(10),还内设有气体流量反馈系统(16)与气体压力表(10)相连。
2.根据权利要求1所述非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,其特征在于:真空控制柜(2)上设有惰性气体流量计(11)和单色仪(6),真空腔(1)上方设有真空计(7)。
3.根据权利要求2所述非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,其特征在于:手动操作界面(4)上设有真空议(12)、气体流量控制器(13)、反映气体控制器(14)、手动与自动切换开关(15)和偏压检测器(16)。
4.根据权利要求3所述非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,其特征在于:气体流量反馈系统(17)包括光谱仪(18)、分光计(19)和光谱监视器(20),光谱仪(18)设于真空腔(1)内,光谱仪(18)与分光计(19)相连,分光计(19)与光谱监视器(20)相连,光谱监视器(20)与气体流量控制器(13)相连。
5.根据权利要求4所述非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,其特征在于:侧开式炉门(21)外设有圆盘把手(22)。
6.根据权利要求5所述非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,其特征在于:圆盘把手上(22)上设有锁紧把(23)和观察窗(24)。
7.根据权利要求6所述非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,其特征在于:真空腔(1)内设有支撑平台(27),支撑平台上方设有工作架(28),支撑平台(27)下方设有滑动轨道台(25),滑动导轨台(25)下方设有加热管(26)。
8.根据权利要求7所述非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,其特征在于:侧开式炉门(23)处设有靶材(32),靶材(32)上设有销钉(29)、靶材把手(30)和冷却水管(31)。
9.根据权利要求1所述非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,其特征在于:真空控制柜(2)包括扩散泵、罗茨泵和机械泵。
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