[实用新型]多晶硅锭装料室

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能硅片生产技术领域，具体而言，涉及一种多晶硅锭装料室。

背景技术

用于生产太阳能硅片的原料硅在硅锭生长工艺期间以一种高度控制的方式进行生长，从而达到优化晶粒结构的目的，并确保杂质在结晶至多晶硅锭中以前就被分离出熔化阶段。更好的晶粒结构和更少的杂质意味着更高品质的硅锭，从而可令太阳能电池获得更高效率，而多晶硅炉兆瓦产量也会更高。

目前，多晶硅锭备料与装料在一起，多晶硅锭装料室为了适应人最适宜的温度，一般设定在18℃左右。

上述多晶硅锭装料室的缺陷如下：

1、备料时会引进杂质，由于备料和装料在一起，所以使装料过程中杂质的侵入层面多，进而导致影响；

2、由于铸锭炉区域的温度一般在30℃，由于多晶硅锭装料室与铸锭炉区域的温差，使得硅料的表面会形成一定的冷凝水，这样延长了铸锭炉抽真空的时间，从而降低了生产效率。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种多晶硅锭装料室，以解决现有技术中装料过程中杂质的入侵层面多易影响硅锭的质量的问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种多晶硅锭装料室，包括依次相连的第一壁、第二壁、第三壁和第四壁，第一壁、第二壁、第三壁和第四壁共同围成多晶硅锭装料室的侧壁，多晶硅锭装料室还包括：装料工作区，装料工作区与第四壁相连并且装料工作区包括沿第一壁朝向第三壁方向依次设置的第一缓冲间和装料间，装料工作区和第一壁之间的区域形成备料室，其中，第一缓冲间内具有吸尘除杂装置。

进一步地，备料室和第一缓冲间之间的第五壁上设置有第一门，第一缓冲间和装料间之间的第六壁上设置有第二门，装料间的与第六壁相对的第七壁上设置有第三门。

进一步地，装料工作区还包括室内温度高于装料间的第二缓冲间，第二缓冲间设置在装料间的远离第一缓冲间的一侧。

进一步地，第二缓冲间和第三壁之间的第八壁上设置有第四门。

进一步地，第二缓冲间内设置有除湿机。

进一步地，第一缓冲间、装料间和第二缓冲间均为多个，并且第一缓冲间、装料间和第二缓冲间的数量相同。

进一步地，装料间包括第六壁和第七壁以及连接在第六壁和第七壁之间的相对设置的两个第九壁，两个第九壁、第六壁和第七壁中至少一个壁的底部设有排风装置。

进一步地，装料间还包括连接在第六壁、第七壁和两个第九壁顶端的顶壁，顶壁上设有摄像头。

进一步地，装料工作区和第二壁及第三壁之间的区域形成人员通道。

在本实用新型的技术方案中，多晶硅锭装料室包括：依次相连的第一壁、第二壁、第三壁和第四壁，其中，第一壁、第二壁、第三壁和第四壁共同围成多晶硅锭装料室的侧壁，多晶硅锭装料室还包括：装料工作区，该装料工作区与第四壁相连并且装料工作区包括沿第一壁朝向第三壁方向依次设置的第一缓冲间和装料间，装料工作区和第一壁之间的区域形成备料室，其中，第一缓冲间内具有吸尘除杂装置。

应用本实用新型的多晶硅锭装料室，备料工人将在备料室将要装的硅料准备好后推进第一缓冲间，第一缓冲间内设有吸尘除杂装置，该第一缓冲间的作用是隔离备料室和装料间，在第一缓冲间内进行吸尘除杂，使装料间的空气不会受到备料室的污染，避免杂质的引进。这样，有效地解决了现有技术中装料过程中杂质的入侵层面多易影响硅锭的质量的问题。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本实用新型的多晶硅锭装料室的实施例的结构示意图；以及

图2示出了图1的多晶硅锭装料室的装料间的结构示意图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。

如图1所示，根据本实用新型的多晶硅锭装料室的实施例包括：依次相连的第一壁11、第二壁12、第三壁13和第四壁14，其中，第一壁11、第二壁12、第三壁13和第四壁14共同围成多晶硅锭装料室的侧壁，多晶硅锭装料室还包括：装料工作区，该装料工作区与第四壁14相连并且装料工作区包括沿第一壁11朝向第三壁13方向依次设置的第一缓冲间21和装料间30，装料工作区和第一壁11之间的区域形成备料室40其中，第一缓冲间21内具有吸尘除杂装置。