[实用新型]一种一体化LED灯专用调光电路有效
申请号: | 201220201991.6 | 申请日: | 2012-05-07 |
公开(公告)号: | CN202535612U | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 区志杨 | 申请(专利权)人: | 佛山市华全电气照明有限公司;佛山市中照光电科技有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 佛山市南海智维专利代理有限公司 44225 | 代理人: | 李宪宾 |
地址: | 528211 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 一体化 led 专用 调光 电路 | ||
技术领域:
本实用新型涉及一种一体化LED灯专用调光电路。
背景技术:
传统的LED调光电路如图1所示,它由双向可控硅开关SCR0、整流电路A0、隔离电路U10、单片机控制单元(MCU0)和LED驱动电路(LED drive0)构成,工作过程是:交流正弦波波形经过双向可控硅开关SCR0斩波,整流电路A0整流,由隔离电路U10取出斩波波形送入单片机控制单元(MCU0),单片机控制单元(MCU0)输出PWM波形给LED驱动电路(LED drive0),LED驱动电路(LED drive0)驱动LED发光。上述这种LED调光电路结构复杂,电子元件多,导致发热量较大,无效功率产生较大,效率非常低,而且体积太大,根本不能作为一体化LED灯的驱动电路使用。
发明内容:
本实用新型的目的是为了克服上述现有技术的缺点,提供一种结构简单、体积小、发热量低、成本低的一体化LED灯专用调光电路。
本实用新型的发明目的可以通过以下的技术方案来实现:一种一体化LED灯专用调光电路,包括有可控硅SCR、整流滤波电路A和CPU控制单元,可控硅SCR输出端与整流滤波电路A连接,还包括有电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管D1和电容C2,电阻R1与二极管D1并联连接,整流滤波电路的输出端与电阻R1和二极管D1并联连接后的输入端连接,电阻R1与二极管D1并联连接后输出分两路,第一路连接电阻R2,第二路依次连接电容C2和电阻R3,第一路和第二路汇合后与CPU控制单元连接,CPU控制单元与LED驱动电路连接。
采用本技术方案后,本实用新型的有益效果是:电路结构非常简单,一个二极管,一个电容,几个电阻,几乎不发热,电转光的效率非常高,成本低,重要的是体积非常小,适合安装在一体化LED灯狭小的空间内。
附图说明:
图1为现有技术LED灯驱动电路的结构原理图;
图2为本实用新型一体化LED灯专用调光电路的结构原理图。
具体实施方式:
下面结合附图对本技术作进一步说明。
本实施例的一体化LED灯专用调光电路包括有可控硅SCR、整流滤波电路A和CPU控制单元,可控硅SCR输出端与整流滤波电路A连接,还包括有电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管D1和电容C2,电阻R1与二极管D1并联连接,整流滤波电路A的输出端与电阻R1和二极管D1并联连接后的输入端连接,电阻R1与二极管D1并联连接后输出分两路,第一路连接电阻R2,第二路依次连接电容C2和电阻R3,第一路和第二路汇合后与CPU控制单元连接,CPU控制单元与LED驱动电路连接。在这里,整流滤波电路A内的电容我们称之为滤波电容C1。
由于有二极管D1的存在,电容C2充电迅速,总是能跟踪到整流滤波电路A的滤波电容C1的最大值,如果可控硅导通角小于90°,电容C2的最大值应该是交流输入电压的峰值;如果可控硅导通角大于90°,电容C2的最大值应该跟可控硅导通角的正弦成正比。当整流滤波电容C1的电压值小于C2时,C2向C1放电,放电时间常数大约为电源周期的1/4(5ms),电容C2的最小值跟放电时间和电容C1的电压波形密切相关。
由于可控硅导通角大于90°时可以用电容C2的最大值测量出来,我们重点研究可控硅导通角小于90°时的情况,在导通角小于90°时最大值是不变的,都等于90°时的值,当电角度超过90°后C2便开始向C1放电,过零点后在可控硅未导通前C2继续向C1放电,导通角越往后放电越深,电容C2的最小值越小,综合分析电容C2的最大值和最小值以及它们之间的时间差,可以计算出导通角小于90°时的导通角。总之电脑芯片对波形测量电容C2的电压波形进行采样和分析可以测量出可控硅导通角,进而可以用来对LED灯的亮度进行控制。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本实用新型技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。故凡是未脱离本实用新型技术方案的内容,依据本实用新型之形状、构造及原理所作的等效变化,均应涵盖于本实用新型的保护范围内。
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