[实用新型]一种学习机电路中的FLASH存储模块有效
申请号: | 201220201398.1 | 申请日: | 2012-05-07 |
公开(公告)号: | CN202632548U | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 蒋智谋 | 申请(专利权)人: | 安徽状元郎电子科技有限公司 |
主分类号: | G09B5/00 | 分类号: | G09B5/00;G11C16/06 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 231200 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 学习机 电路 中的 flash 存储 模块 | ||
技术领域
本实用新型涉及学习机电路领域,具体为一种学习机电路中的FLASH存储模块。
背景技术
学习机是一种电子教学类产品,在国内学生群体中应用广泛。学习机一般由主控模块及其外围的其他电路构成,如FLASH存储模块等。现有技术学习机FLASH存储模块数据存储不稳定,易丢失数据。
实用新型内容
本实用新型目的是提供一种学习机电路中的FLASH存储模块,以解决现有技术学习机FLASH存储模块数据存储不稳定的问题。
为了达到上述目的,本实用新型所采用的技术方案为:
一种学习机电路中的FLASH存储模块,其特征在于:包括有TF卡芯片T1,所述TF卡芯片T1的VSS引脚共接后接地,TF卡芯片T1的DET引脚、D0引脚~D3引脚、SCK引脚、CMD引脚上分别有导线接入学习机的主控芯片,且DET引脚通过电阻R39、D1引脚通过电阻R32、D0引脚通过电阻R33、CMD引脚通过电阻R34、D3引脚通过电阻R35、D2引脚通过电阻R36分别接入电压VDD_SD,所述TF卡芯片T1的VDD引脚还直接接入电压VDD_SD。
本实用新型中,TF卡芯片的VSS引脚分别共接后接地,DET引脚、D0引脚~D3引脚、SCK引脚、CMD引脚除通过导线接入学习机主控芯片外,还分别通过电阻接入电压VDD_SD,这样可有效提高TF卡芯片的数据存储稳定性。本实用新型能有效提高FLASH存储模块存储数据的稳定性。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
如图1所示。一种学习机电路中的FLASH存储模块,包括有TF卡芯片T1,TF卡芯片T1的VSS引脚共接后接地,TF卡芯片T1的DET引脚、D0引脚~D3引脚、SCK引脚、CMD引脚上分别有导线接入学习机的主控芯片,且DET引脚通过电阻R39、D1引脚通过电阻R32、D0引脚通过电阻R33、CMD引脚通过电阻R34、D3引脚通过电阻R35、D2引脚通过电阻R36分别接入电压VDD_SD,TF卡芯片T1的VDD引脚还直接接入电压VDD_SD。
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