[实用新型]一种分布反馈激光器阵列有效
| 申请号： | 201220191666.6 | 申请日： | 2012-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN202651615U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 孟剑俊;武林;王磊;何建军 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/0625 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 分布 反馈 激光器 阵列 | ||
1.一种分布反馈激光器阵列，其特征在于：它是由制作在同一块半导体外延片（1）上的多个平行排列的分布反馈激光器（2）构成；半导体外延片(1) 从上至下依次包括上包层(11)、有源层(12) 、间隔层（14）、折射率控制层（13）、下包层(15)和衬底(16)，用于形成分布反馈的布拉格光栅(121)设置在有源层(12)或者折射率控制层（13）中；布拉格光栅（121）的周期在整块半导体外延片（1）上保持一致；所有分布反馈激光器（2）与布拉格光栅(121)垂直；上包层（11）、有源层（12）和间隔层（14）构成分布反馈激光器（2）的上台面（21）；折射率控制层（13）形成导波结构（22）；分布反馈激光器阵列中任意一个分布反馈激光器（2）均由一个上台面(21)和其所对应的导波结构(22)以及下包层（15）、衬底(16)和上电极(23)、下电极(24)共同构成。
2.根据权利要求1所述的分布反馈激光器阵列，其特征在于：所述上台面(21)和导波结构（22）的宽度在不同的分布反馈激光器（2）之间随激射波长的增加而递增的。
3.根据权利要求1所述的分布反馈激光器阵列，其特征在于：所述折射率控制层（13）折射率大于上包层（11）、下包层（15）的折射率。
4.一种分布反馈激光器阵列，其特征在于：它是由制作在同一块半导体外延片（1）上的多个平行排列的分布反馈激光器（2）构成；半导体外延片(1) 从上至下依次包括上包层(11)、折射率控制层(13) 、间隔层（14）、有源层（12）、下包层(15)和衬底(16)，用于形成分布反馈的布拉格光栅(121)设置在有源层(12)或者折射率控制层（13）中；布拉格光栅（121）的周期在整块半导体外延片（1）上保持一致；所有分布反馈激光器（2）与布拉格光栅(121)垂直；上包层（11）构成分布反馈激光器（2）的上台面（21）；折射率控制层（13）形成导波结构（22）；分布反馈激光器阵列中任意一个分布反馈激光器（2）均由一个上台面(21)和其所对应的导波结构(22)以及下包层（15）、衬底(16)和上电极(23)、下电极(24)共同构成。
5.根据权利要求4所述的分布反馈激光器阵列，其特征在于：所述上台面(21)和导波结构（22）的宽度在不同的分布反馈激光器（2）之间随激射波长的增加而递增的。
6.根据权利要求4所述的分布反馈激光器阵列，其特征在于：所述折射率控制层（13）折射率大于上包层（11）、下包层（15）的折射率。
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