[实用新型]基于磁控记忆合金的位移形变物理传感器有效
申请号: | 201220190528.6 | 申请日: | 2012-04-26 |
公开(公告)号: | CN202648612U | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 翁光远;吴潮玮;王万平;张俊斌;张本平;周庆华 | 申请(专利权)人: | 翁光远 |
主分类号: | G01B7/02 | 分类号: | G01B7/02;G01B7/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710016 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 记忆 合金 位移 形变 物理 传感器 | ||
【权利要求书】:
1.基于磁控记忆合金的位移形变物理传感器,其特征在于:包含触动部分与动作部分,所述触动部分包含感应弹簧(8),感应弹簧(8)连接上触头,上触头下方对应有下触头(7),下触头(7)连接电源(6),电源(6)控制线圈(5)的开关,所述线圈(5)内围空间有磁控记忆合金(4),磁控记忆合金(4)上连接压板(2)和与之连接的加压弹簧(1),磁控记忆合金(4)下对应传感头。
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