[实用新型]欠压锁定电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及欠压锁定电路，尤其涉及到带有温度补偿的欠压锁定电路。

背景技术

为了提高系统的可靠性和稳定性，芯片内部常集成欠压锁定电路。欠压锁定电路的实质就是通过比较一个基准电压和电源的采样电压，输出一个控制信号去控制芯片是否正常工作。传统的欠压锁定电路翻转阈值会随着温度的变化而变化，从而造成系统不稳定；同时传统的欠压锁定电路没有滞回功能，这样会导致系统反复开关现象。

发明内容

本实用新型旨在解决现有技术的不足，提供一种稳定性很高的带有温度补偿的欠压锁定电路。

欠压锁定电路，包括温度补偿型电源采样电路、电压比较电路、迟滞反馈电路和输出整形驱动电路：

所述温度补偿型电源采样电路是产生具有温度补偿特性的基准电压同时对所加的电压进行采样；

所述电压比较电路是对所述采样的电压与所述温度补偿型电源采样电路产生的具有温度补偿的基准电压进行比较；

所述迟滞反馈电路是对电压比较电路输出的电压信号进行迟滞反馈，产生电压迟滞回差特性；

所述输出整形驱动电路是把电压比较电路输出的电压信号整形出适合芯片处理的信号，同时增加驱动能力。

所述温度补偿型电源采样电路包括启动电路、第一偏置电流、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一PNP管、第二PNP管：

所述启动电路是提供给所述温度补偿型电源采样电路电流进行启动；

所述第一偏置电流是提供给所述温度补偿型电源采样电路提供电流；

所述第一偏置电流的一端接电源，另一端接第一电阻的一端；

所述第一电阻的一端接所述第一偏置电流，另一端接所述第二电阻的一端；

所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端，另一端接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端；

所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第四电阻的一端，另一端接所述第一PNP管的发射极；

所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第二电阻的一端，另一端接所述第五电阻的一端；

所述第五电阻的一端接所述第四电阻的一端，另一端接所述第二PNP管的发射极；

所述第一PNP管的基极和集电极接地，发射极接所述第三电阻的一端；

所述第二PNP管的基极和集电极接地，发射极接所述第五电阻的一端；

所述电压比较电路的正端接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端，负端接所述第三电阻的一端和所述第一PNP管的发射极，输出端接所述迟滞反馈电路的输入端和所述输出整形驱动电路的输入端。

所述迟滞反馈电路包括第一反相器、第二反相器和第一PMOS管：

所述第一反相器的输入端接所述电压比较电路的输出端和所述输出整形驱动电路的输入端，输出端接所述第二反相器的输入端；

所述第二反相器的输入端所述第一反相器的输出端，输出端接所述第一PMOS管的栅极；

所述第一PMOS管的栅极接所述第二反相器的输出端，源极接电源和所述第一电阻的一端，漏极接所述第一电阻的另一端。

所述输出整形驱动电路由迟滞反相器组成，输入端接所述电压比较电路的输出端和所述迟滞反馈电路的输入端，输出端接芯片内部所控制的电路。

带有温度补偿的欠压锁定电路的工作原理如下：

(1)上电后，启动电路开始工作，启动电路产生电流，提供给温度补偿型电源采样电路电流，使温度补偿和基准电压电路开始工作，利用第一PNP管和第二PNP管之间的VBE差值，这个差值降在第五电阻上产生电流，这个电流在第四电阻上产生电压等于具有有温度补偿特性的基准电压。

(2)电压比较电路对(1)采样的电压与产生的基准电压进行比较；当采样的电压高于产生的基准电压时，电压比较电路输出端为高电平，此时第一PMOS管的栅极电压为高电平，第一PMOS管不导通，迟滞反馈电路不会起作用；当(1)采样的电压低于产生的基准电压时，电压比较电路输出端为低电平，此时第一PMOS管的栅极电压为低电平，第一PMOS管导通，迟滞反馈电路会起作用；这时产生迟滞回差特性。

(3)迟滞反馈电路对(2)比较产生的电压迟滞反馈，产生电压迟滞回差特性；当电压比较电路输出端为高电平，迟滞反馈电路不会起作用；电压比较电路输出端为低电平，迟滞反馈电路会起作用。

(4)输出整形驱动电路对(3)输出的电压信号整形出适合芯片处理的信号，同时增加驱动能力。

利用本实用新型提供的欠压锁定电路能更好地提高系统的可靠性和稳定性。