[实用新型]一种翡翠绿镀膜玻璃有效

专利信息
申请号: 201220111190.0 申请日: 2012-03-22
公开(公告)号: CN202508982U 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 姚联根;陈海平;杨德兵;屠松柏 申请(专利权)人: 联海(国际)玻璃技术有限公司
主分类号: C03C17/36 分类号: C03C17/36
代理公司: 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 代理人: 赵卫康
地址: 313200 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 翡翠 镀膜 玻璃
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种玻璃,更具体的说涉及一种利用白玻制作的低辐射翡翠绿玻璃。

背景技术

目前,翡翠绿低辐射镀膜玻璃的制作,一般都是采用绿玻为基片生产的,成本十分高昂,于是人们开始采用价格低廉的白玻为基片生产镀膜的翡翠绿玻璃,专利申请号为CN200910027354.4、申请日为2009年05月31的中国实用新型专利公开了一种离线浅绿色低辐射镀膜玻璃及其制备方法,其采用白玻为基片,在其上一次真空溅射多个功能层,但是,首先其制得的玻璃的颜色为浅绿色而不是翡翠绿,其次其制得的玻璃的a*值≤-8,与以绿玻为基片制得的产品a*值相比差别不大。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有技术的不足之处,提供一种翡翠绿镀膜玻璃,其以白玻为基片,制作出来的镀膜玻璃a*≤-40。

为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案如下:一种翡翠绿镀膜玻璃,包括玻璃基片,所述玻璃基片上依次设有氮化硅底层、氧化锌层、金属铬层或金属钛层或金属铋层、金属银层、氧化镍铬层、氧化锌保护层、氮化硅保护层及氧化钛层。

作为优选,所述玻璃基片的厚度为6-10mm,所述氮化硅底层的厚度为75-83nm,所述氧化锌层的厚度为25-33nm,所述金属铬层或金属钛层或金属铋层的厚度为6-8nm,所述金属银层的厚度为4.6-5.1nm,所述氧化镍铬层的厚度为13-16nm,所述氧化锌保护层的厚度为35-43nm,所述氮化硅保护层的厚度为71-79nm,所述氧化钛层的厚度为9-11nm。

作为优选,所述玻璃基片的厚度为6mm。

作为优选,所述氮化硅底层的厚度为77nm,所述氧化锌层的厚度为26nm,所述金属铬层或金属钛层或金属铋层的厚度为7nm,所述金属银层的厚度为4.8nm,所述氧化镍铬层的厚度为14nm,所述氧化锌保护层的厚度为37nm,所述氮化硅保护层的厚度为73nm,所述氧化钛层的厚度为9nm。

一种翡翠绿镀膜玻璃的制作方法,包括以下步骤: 

a):将6-10mm厚度的玻璃基片按照预定的尺寸切割成块并清洗干净,然后将离线高真空磁控溅射设备的基础真空度设置在10-3Pa,线速度设置为1.5-2m/min;

b):将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中,设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为105-115KW,在玻璃基片上溅射第一层75-83nm的氮化硅底层;

c):设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为22-24KW,在玻璃基片上溅射第二层25-33nm的氧化锌层;

d):设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为4.0-4.5KW,在玻璃基片上溅射第三层6-8nm金属铬层或金属钛层或金属铋层;

e):设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为5.1-6.0KW,在玻璃基片上溅射第四层4.6-5.1nm的金属银层;

f):设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为7-9KW,在玻璃基片上溅射第五层13-16nm的氧化镍铬层;

g):设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为26-32KW,在玻璃基片上溅射第六层35-43nm的氧化锌保护层;

h):设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为99-103KW,在玻璃基片上溅射第七层71-79nm的氮化硅保护层;

i):设置第八离线高真空磁控溅射设备的功率为57-61KW,在玻璃基片上溅射第八层9-11nm的氧化钛层。

作为优选,所述步骤a)中,所述玻璃基片厚度为6mm;

所述步骤b)中,设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为104KW,在玻璃基片上溅射第一层77nm的氮化硅底层;

所述步骤c)中,设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为23KW,在玻璃基片上溅射第二层26nm的氧化锌层;

所述步骤d)中,设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为4.2KW,在玻璃基片上溅射第三层7nm金属铬层或金属钛层或金属铋层;

所述步骤e)中,设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为5.5KW,在玻璃基片上溅射第四层4.8nm的金属银层;

所述步骤f)中,设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为7.5KW,在玻璃基片上溅射第五层14nm的氧化镍铬层;

所述步骤g)中:设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为26KW,在玻璃基片上溅射第六层37nm的氧化锌保护层;

所述步骤h)中,设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为101KW,在玻璃基片上溅射第七层73nm的氮化硅保护层;

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