[实用新型]栅压为负压的功放管的供电控制电路、基站及直放站

说明书

技术领域

本实用新型涉及功率放大器技术领域，特别涉及一种栅压为负压的功放管的供电控制电路、基站及直放站。

背景技术

GaN是第三代半导体的代表，由于其禁带宽度宽，所以由GaN材料制作的微波功率放大器(简称GaN功放管)具有工作频率高、效率高、带宽宽等优点，但现在GaN功放管的栅级电压都是负压，且栅级电压及漏极电压的开关顺序有严格的要求，供电有问题极易造成功放管的损坏。GaN功放管正确的加电顺序为：①Vgs＝0V(gate)，Vds＝0V(drain)；②Vgs先达到负压值；③Vds再达到漏极所需电压；④Vgs调节到需要静流的电压值。GaN功放管的关电顺序为：①关掉射频信号；②Vds先减小到0V；③Vgs再到0V。目前大多数是采用两个电源两个开关分别手动去控制栅级电压与漏极电压，这种手动控制方式的缺点在于：①手动操作效率低，只能用于实验室调试，不适用于生产；②手动操作准确性难以保证，一旦两个开关顺序错误，就有可能造成功放管损坏。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的是解决以上供电控制电路的缺陷，提出一种适应性广，可靠性高的功放管供电控制电路，及采用该供电控制电路的基站和直放站。

本实用新型实施例栅压为负压的功放管的供电控制电路，包括栅压控制芯片、漏压控制芯片和芯片控制单元，

所述芯片控制单元为接收功放管上电指令并依次向所述栅压控制芯片发送上电信号、向所述漏压控制芯片发送上电信号、向所述栅压控制芯片发送调压信号，接收功放管关电指令并依次向所述漏压控制芯片、栅压控制芯片发送关电信号的芯片控制单元；

所述栅压控制芯片为接收所述上电信号并向功放管的栅极输出负压，接收所述调压信号并将输出的负压调节到功放管所需静流的电压，接收所述关电信号并将输出的负压减小为0的栅压控制芯片；

所述漏压控制芯片为接收所述上电信号并向功放管的漏极输出电压，接收所述关电信号并将输出的电压减小为0的漏压控制芯片。

优选地，

所述栅压控制芯片为向功放管的栅极输出负压并向所述芯片控制单元返回栅极上电完成信号的栅压控制芯片；

所述芯片控制单元为接收所述栅极上电完成信号并向所述漏压控制芯片发送上电信号的芯片控制单元。

优选地，

所述漏压控制芯片为向功放管的漏极输出电压并向所述芯片控制单元返回漏极上电完成信号的漏压控制芯片；

所述芯片控制单元为接收所述漏极上电完成信号并向所述栅压控制芯片发送调压信号的芯片控制单元。

优选地，

所述漏压控制芯片为将输出电压减小为0并向所述芯片控制单元返回关电完成信号的漏压控制芯片；

所述芯片控制单元为接收所述关电完成信号并向所述栅压控制芯片发送关电信号的芯片控制单元。

优选地，所述栅压控制芯片、漏压控制芯片和所述芯片控制单元分别与功放管的输入电源相连。

本实用新型实施例基站，包括栅压为负压的功放管，还包括栅压为负压的功放管的供电控制电路，所述栅压为负压的功放管的供电控制电路与所述栅压为负压的功放管的栅极和漏极分别相连，其内部电路结构与上述栅压为负压的功放管的供电控制电路的内部电路结构相同。

本实用新型实施例直放站，包括栅压为负压的功放管，还包括栅压为负压的功放管的供电控制电路，所述栅压为负压的功放管的供电控制电路与所述栅压为负压的功放管的栅极和漏极分别相连，其内部电路结构与上述栅压为负压的功放管的供电控制电路的内部电路结构相同。

本实用新型实施例栅压为负压的功放管供电控制电路，一端接功放管，一端接功放管的输入电源，其中栅压控制芯片用于向功放管栅极供放电，漏压控制芯片用于向功放管漏极供放电，而芯片控制单元则控制两个芯片的供放电顺序，使功放管的栅极和漏极按顺序上电关电。本供电控制电路代替了人工，从而具有适用性广、可靠性高的特点，有效保护了功放管。另外，由于顺序控制在本供电控制电路内部自动完成，因此，只需一个输入电源即可实现功放管的上电和关电。本实用新型实施例还公开了一种基站和直放站，采用了上述供电控制电路后，基站和直放站内的栅压为负压的功放管具有相应的优点。

附图说明

图1是本实用新型实施例栅压为负压的功放管的供电控制电路的结构示意图；

图2是本实用新型实施例基站的结构示意图；

图3是本实用新型实施例直放站的结构示意图。

具体实施方式