[实用新型]集成微流道的薄膜体声波谐振生化传感器有效
申请号: | 201220101449.3 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN202471542U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 王璟璟;陈达;孙学军;金荧荧;干耀国 | 申请(专利权)人: | 山东科技大学 |
主分类号: | G01N5/02 | 分类号: | G01N5/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266510 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 微流道 薄膜 声波 谐振 生化 传感器 | ||
1.一种集成微流道的薄膜体声波谐振生化传感器,包括微流道(1)、压电堆栈(2)和信号处理芯片(3),其特征在于,所述的微流道(1)和压电堆栈(2)设置在上层硅片(4)上,所述的信号处理集成电路(3)设置在下层硅片(5)上,所述的压电堆栈(2)与信号处理集成电路(3)之间具有空隙(6)。
2.根据权利要求1所述的一种集成微流道的薄膜体声波谐振生化传感器,其特征在于,所述的微流道(1)设置在上层硅片(4)的上边(7),其宽度(8)大于压电堆栈(2)的宽度(9)。
3.根据权利要求1所述的一种集成微流道的薄膜体声波谐振生化传感器,其特征在于,所述的压电堆栈(2)设置在上层硅片(4)的下边(10)一侧向内的沟道(11)内。
4.根据权利要求1所述的一种集成微流道的薄膜体声波谐振生化传感器,其特征在于,所述的信号处理集成电路(3)设置在压电堆栈(2)的正下方,其宽度(12)小于沟道(11)的宽度(13)。
5.根据权利要求1所述的一种集成微流道的薄膜体声波谐振生化传感器,其特征在于,所述的空隙(6)的优选高度(14)为10微米至50微米。
6.根据权利要求1所述的一种集成微流道的薄膜体声波谐振生化传感器,其特征在于,所述的上层硅片(4)的下边(10)与下层硅片(5)的上边(15)在排除沟道(11)以外的区域紧密结合。
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