[实用新型]一种非接触式防水型位移传感器有效

专利信息
申请号: 201220086122.3 申请日: 2012-03-09
公开(公告)号: CN202442685U 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 王泽宇;王维刚;张全旭 申请(专利权)人: 北京智博联科技有限公司
主分类号: G01B7/02 分类号: G01B7/02;G01B7/30
代理公司: 北京中海智圣知识产权代理有限公司 11282 代理人: 胡静
地址: 100055 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 接触 防水 位移 传感器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种非接触式防水型位移传感器,尤其涉及一种用于测量角度位移、线性长度位移及转速的非接触式防水型位移传感器。

背景技术

目前,角位移测量一般使用光电式旋转编码器,其是集光机电技术于一体的速度位移传感器,其工作原理为:光电式旋转编码器轴带动光栅盘旋转,同时,发光元件发出的光由光栅盘狭缝切割成断续光线,并被接收元件接收产生初始信号,该初始信号再经后继电路处理,输出脉冲或代码信号。在此应用过程中,这些旋转编码器需要在被测物体的带动下才能开始进行测量,即旋转编码器需要通过被测物体位移直接传递到编码器的轴来实现测量,而在这种不能使编码器和被测物体完全进行物理隔离的情况下,随着工作时间和使用次数的增加,极易造成传动部件等受损,同时,环境因素的影响特别是潮湿环境下,极易造成传动部件等腐蚀,从而使测量的精度受到严重影响,甚至造成测量无法进行。

现有技术中,发明专利ZL 200910308373.4公开了一种光电位移传感器及其制备方法,所述光电位移传感器包括激光器、光纤和位移刻度板,激光器安装于被测物体的主轴上,并可沿被测物体的主轴进行运动;激光器产生的激光束通过光纤照射到位移刻度板上;位移刻度板上的位移刻度由具有光电导效应的半导体材料制成,位移刻度板用于感应通过光纤传输的激光束,并产生光电流。本发明光电位移传感器的结构简单紧凑、体积小、便于携带且测量精度相对传统的位移传感器大幅度提高,并在一定程度上实现了非接触式位移传感,但其激光器仍需与被测物体直接接触,还不能够使传感器受到有效防护,相应地其性能还不能够得到充分保障。

实用新型专利ZL201020635370.X公开了一种非接触式调试磁致伸缩位移传感器,包括壳体,壳体的一端是端盖,端盖的外表面设有至少一个内凹的盲沉孔,壳体内设置有传感器电路板,电路板固定有与盲沉孔数量相同的霍尔开关,霍尔开关靠近盲沉孔;一调试笔,调试笔设置有略小于盲沉孔内径的磁粒,该实用新型实现了非接触式位移传感,并对传感器元件进行了有效防护,但是其结构相对复杂,在使用时,还需利用调试笔对传感器进行调试,操作不够方便。

实用新型内容

本实用新型的目的是,针对现有技术存在的问题,提供一种非接触式防水型位移传感器,完全实现非接触式位移传感,并使传感器受到有效防护,充分保障其测量的精度,大幅延长其使用寿命。

本实用新型解决问题的技术方案是:一种非接触式防水型位移传感器,包括相互连接的壳体、磁传感器、处理电路及电缆,其中,还包括转动轴、支撑所述转动轴的支架、安装在所述转动轴上的永磁体;所述磁传感器和处理电路相互连接并密封设置在所述壳体内;所述壳体设置在所述支架上,并与设置在所述支架上的所述转动轴相互分离设置。

进一步地,所述永磁体为圆柱形,并能够与所述转动轴同步转动。

进一步地,所述磁传感器和处理电路通过粘接或者灌封的方式安装在所述壳体内。

进一步地,所述永磁体的中心、所述磁传感器的中心和所述转动轴的中心在同一条直线上。

进一步地,所述磁传感器由两个互相垂直的竖直型的霍尔传感器组合而成。

所述霍尔传感器是在磁场的作用下,由于电流的存在而引起感应电压的仪器。

本实用新型所述磁传感器由两个互相垂直的竖直型的霍尔传感器组合而成,而所包含的两个霍尔传感器中的电流供应点能够直接连接在一起,从而能够把两个霍尔传感器的中心的接触点进行合并,进而使得所述磁传感器在结构上紧凑,并能够用来测量在同一点上相互垂直的两个方向上的磁场强度,即所述磁传感器能够同时感应处在一个平面上的两个相互垂直方向上的磁场分量。同时,尽管组成所述磁传感器的这两个霍尔传感器在电路上是相互连通的,但这两个霍尔传感器的相互垂直的设置使其在两个方向上的霍尔效应互不相关,在此基础上,所述磁传感器与所述永磁体的结合使用,则使本实用新型能够实现对被测物体的非接触式测量且测量精度更高;再者,测量物体的角度及位移等值是组成所述磁传感器的这两个霍尔传感器的输出信号的比值,相比传统采用的输出信号的绝对量值,能够有效避免温度等外界环境及霍尔传感器的构造因素对测量精度的影响,充分保证测量的准确性;此外,霍尔传感器体积小,成本低,从而使所述磁传感器整体体积小,节省空间,并且经济成本低。

本实用新型所述磁传感器及所述处理电路密封设置在所述壳体内,所述壳体具有良好的水密性、气密性,使所述磁传感器和处理电路受到充分保护,能够有效防水及其他物质影响,即,使所述传感器的功能发挥不受外界环境影响,从而使所述磁传感器的稳定性增强,利于延长其使用寿命。

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