[实用新型]像素单元驱动电路、像素单元以及显示装置有效
申请号: | 201220067465.5 | 申请日: | 2012-02-27 |
公开(公告)号: | CN202454223U | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 青海刚;祁小敬;高永益 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;赵爱军 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 单元 驱动 电路 以及 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及有机发光显示领域,尤其涉及一种像素单元驱动电路、像素单元以及显示装置。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极体)能够发光是由驱动TFT在饱和状态时产生的电流所驱动,因为输入相同的灰阶电压时,不同的临界电压会产生不同的驱动电流,造成电流的不一致性。LTPS(低温多晶硅)制程上Vth(晶体管阈值电压)的均匀性非常差,同时Vth也有漂移,如此传统的2T1C电路亮度均匀性一直很差。
传统的采用2T1C电路的像素驱动电路如图1所示,电路只含有两个TFT,T1用作开关,DTFT用于像素驱动。传统的2T1C电路操作也比较简单,对该采用2T1C电路的像素驱动电路的控制时序图如图2所示,当扫描电平为低时,T1打开,data线上的灰阶电压对电容C充电,当扫描电平为高时,T1关闭,电容C用来保存灰阶电压。由于VDD(电源电压)电压较高,因此DTFT处于饱和状态,OLED的驱动电流I=K(Vsg-|Vth|)2=K(VDD-Vdata-|Vth|)2,Vdata为数据信号,K是一个与晶体管尺寸和载流子迁移率有关的常数,一旦TFT尺寸和工艺确定,K确定。该2T1C电路的驱动电流公式中包含了Vth,如前所述,由于LTPS工艺的不成熟,即便是同样的工艺参数,制作出来的面板不同位置的TFT的Vth也有较大差异,导致了同一灰阶电压下OLED的驱动电流不一样,因此该驱动方案下的面板不同位置亮度会有差异,亮度均一性差。同时随着OLED面板使用的延长,OLED材料逐渐老化,导致OLED发光的临界电压上升,同样的电流下,OLED材料发光效率下降,面板亮度降低。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种像素单元驱动电路、像素单元以及显示装置,以提高OLED面板亮度均匀度。
为了达到上述目的,本实用新型提供了一种像素单元驱动电路,用于驱动OLED,所述像素单元驱动电路包括驱动薄膜晶体管、存储电容、驱动控制单元和充电控制单元,其中,
所述驱动薄膜晶体管的栅极,通过所述驱动控制单元与所述存储电容的第一端连接,还通过所述充电控制单元与数据线连接;
所述驱动薄膜晶体管的源极,与所述存储电容的第二端连接,并通过所述驱动控制单元与驱动电源的低电平输出端连接;
所述驱动薄膜晶体管的漏极,通过所述充电控制单元与驱动电源的高电平输出端连接;
所述存储电容的第一端还通过所述充电控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接。
实施时,所述驱动薄膜晶体管的源极,与所述存储电容的第二端连接,还通过所述驱动控制单元与驱动电源的低电平输出端连接;
所述驱动薄膜晶体管的漏极,与所述OLED的阴极连接,还通过所述充电控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接;
所述存储电容的第一端还通过所述充电控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接;
所述OLED的阳极与所述驱动电源的高电平输出端连接。
实施时,所述驱动控制单元包括第一开关和第二开关,所述充电控制单元包括第三开关、第四开关和第五开关;
所述驱动薄膜晶体管的源极通过所述第一开关与所述驱动电源的低电平输出端连接;
所述驱动薄膜晶体管的栅极通过所述第二开关与所述存储电容的第一端连接;
所述驱动薄膜晶体管的栅极还通过所述第三开关与所述数据线连接;
所述驱动薄膜晶体管的漏极通过所述第四开关与所述驱动电源的高电平输出端连接;
所述存储电容的第一端通过所述第五开关与所述驱动电源的高电平输出端连接。
实施时,所述第一开关是第一开关元件,所述第二开关是第二开关元件,所述第三开关是第三开关元件,所述第四开关是第四开关元件,所述第五开关的第五开关元件;
所述驱动薄膜晶体管、所述第一开关元件、第二开关元件、所述第三开关元件、所述第四开关元件和所述第五开关元件都是n型TFT;
所述第一开关元件,栅极与第一控制线连接,源极与所述驱动电源的低电平输出端连接,漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接;
所述第二开关元件,栅极与所述第一控制线连接,源极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接,漏极与所述存储电容的第一端连接;
所述第三开关元件,栅极与第二控制线连接,源极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接,漏极与所述数据线连接;
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