[发明专利]一种多晶硅废水处理装置和方法

权利要求书

1.一种多晶硅废水处理装置，其特征在于，包括：陶瓷膜系统；

其中，所述陶瓷膜系统，包括料液箱、供料泵、循环泵、陶瓷膜、透过液箱以及多个连接管道，其中，在连接管道上还设有压力调节阀门和/或仪器仪表。

2.根据权利要求1所述的多晶硅废水处理装置，其特征在于，所述陶瓷膜的形状为管式多段弯曲中空结构，膜孔小于1μm。

3.根据权利要求2所述的多晶硅废水处理装置，其特征在于，所述陶瓷膜由由二氧化钛和二氧化锆料制成。

4.根据权利要求1所述的多晶硅废水处理装置，其特征在于，通过管道还连接有液体分离器，包括：

分离腔体和与其相连接的流体储箱、流量供给泵，其中，所述流量供给泵设于分离腔体和所述流体储箱之间。

5.根据权利要求4所述的多晶硅废水处理装置，其特征在于，所述分离腔体的液体进口开于所述分离腔体的下方位置处。

6.根据权利要求5所述的多晶硅废水处理装置，其特征在于，所述液体为纯水或氯化钙或者氯化钠溶液。

7.一种多晶硅废水处理方法，其特征在于，包括：

（1）将多晶硅废液经过增压后进入为陶瓷膜系统，在0.20MPa-0.55MPa压力下进行固液分离，分离出聚乙二醇液体储存以备回用生产，分理处出的固液混合物进入步骤（2）；

（2）将陶瓷膜系统分离出的固液混合物用纯水冲洗干净，得到包括：SiC、Si、Fe和杂质的固体混合物，将此固体混合物加入盐酸中进行搅拌和清洗，分离出固体SiC、固体 Si和杂质的混合颗粒物；

（3）将所述固体SiC和Si混合颗粒物加入流体分离器，控制流体分离器流速，使SiC和Si分层，并分别收集分层的SiC和Si，部分处于混合状态的固体SiC、固体 Si和杂质则不分离。

8.根据权利要求7所述的多晶硅废水处理方法，其特征在于，步骤（3）以后，还包括：对分离后的Si熔铸提纯，以得到太阳能级多晶硅；

和/或；对分离后的SiC干燥后并进行微粉分级分离，按粒径大小选择回用。

9.根据权利要求7所述的多晶硅废水处理方法，其特征在于，步骤（2）中，所述盐酸的温度30℃-45℃，浓度10%-30%，并且，步骤（2）中还要进行搅拌30-90分钟。

10.权利要求7所述的多晶硅废水处理方法，其特征在于，步骤（3）中，所述流体分离器流速为40m/h-60 m/h。