[发明专利]负电荷泵电路和相关方法

说明书

技术领域

本申请涉及负电荷泵。

发明内容

总的来说，本申请提供了一种配置为提供一低于基准电压(例如地电压)的电压的负电荷泵电路。该电荷泵电路包括降低或消除电荷泄漏的阻塞电路从而可在输出端处形成负电压。该电荷泵电路包括互补的MOS开关对，所述互补的MOS开关对根据互补的电容器上形成的电荷以互补方式切换以提供负电压电源。有利的是，所述负电源可用来为多种需要负电压来工作的设备供电。

相应地，在本申请的一个实施例中提供一种负电荷泵电路，包括：第一PMOS/NMOS开关对，耦合在负电压输出端和基准电势之间；和第二PMOS/NMOS开关对，耦合在负电压输出端和基准电势之间。该负电荷泵电路还包括：第一电容器，具有耦合到第一时钟信号的正节点和耦合到所述第一PMOS/NMOS开关对及所述第二PMOS/NMOS开关对的负节点，所述第一时钟信号配置为对所述第一电容器充电，所述负节点配置为控制所述第二PMOS/NMOS开关对的导通状态，和第二电容器，具有耦合到第二时钟信号的正节点和耦合到所述第二PMOS/NMOS开关对及所述第一PMOS/NMOS开关对的负节点，所述第二时钟信号配置为对所述第二电容器充电，所述负节点配置为控制所述第一PMOS/NMOS开关对的导通状态。所述负电荷泵电路进一步包括：第一阻塞电路，耦合到所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关并耦合到所述基准电势，所述第一阻塞电路配置为防止所述第一电容器的负节点处的电荷经所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势；和第二阻塞电路，耦合到所述第二PMOS/NMOS开关对的PMOS开关并耦合到所述基准电势，所述第二阻塞电路配置为防止所述第二电容器的负节点处的电荷经所述第二PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势。

在本申请的另一实施例中提供一种负电荷泵电路，包括：第一PMOS/NMOS开关对，耦合在负电压输出端和基准电势之间；和第二PMOS/NMOS开关对，耦合在负电压输出端和基准电势之间。所述负电荷泵电路还包括：第一阻塞电路，耦合到所述第一PMOS/NMOS开关对中的PMOS开关并耦合到所述基准电势，所述第一阻塞电路配置为防止所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关和NMOS开关之间的电荷经所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势；和第二阻塞电路，耦合到所述第二PMOS/NMOS开关对中的PMOS开关并耦合到所述基准电势，所述第二阻塞电路配置为防止所述第二PMOS/NMOS开关对的PMOS开关和NMOS开关之间的电荷经所述第二PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势。

在本申请对的再一实施例中提供一种方法，包括：在负电压输出端和基准电势之间耦合第一PMOS/NMOS开关对。该方法还包括：在负电压输出端和基准电势之间耦合第二PMOS/NMOS开关对。该方法进一步包括：将第一阻塞电路耦合到所述第一PMOS/NMOS开关对中的PMOS开关并耦合到所述基准电势，所述第一阻塞电路配置为防止所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关和NMOS开关之间的电荷经所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势。该方法还包括；将第二阻塞电路耦合到所述第二PMOS/NMOS开关对中的PMOS开关并耦合到所述基准电势，所述第二阻塞电路配置为防止所述第二PMOS/NMOS开关对的PMOS开关和所述NMOS开关之间的电荷经所述第二PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势。

附图说明

所要求保护的主题的特征和优点将从以下与之相符的实施例的具体描述中变得显而易见，对实施例的描述应当参照附图来考虑，在附图中：

图1显示了与本申请的各个实施例相符的负电荷泵电路；

图2A显示了在一个操作阶段期间图1的负电荷泵电路；

图2B显示了图2A的电荷泵电路的操作的各种时序信号；

图3A显示了在另一操作阶段期间图1的负电荷泵电路；和

图3B显示了图3A的电荷泵电路的操作的各种时序信号。

尽管下列具体实施方式中将参照说明性的实施例来进行阐述，但是该实施例的许多替代、修改以及变体对于那些本领域技术人员来说将变得显而易见。

具体实施方式