[发明专利]一种基于马赫曾德尔干涉的全光纤传感器

权利要求书

1.一种基于马赫曾德尔干涉的全光纤传感器，其特征在于，所述全光纤传感器包括：第一单模光纤、多模光纤、细微结构光纤和第二单模光纤，所述第一单模光纤-多模光纤-细微结构光纤-第二单模光纤顺序组合熔接；所述第一单模光纤的芯层小于多模光纤的芯层，所述第一单模光纤的芯层和部分包层，与多模光纤的芯层熔接；所述多模光纤的芯层与细微结构光纤的芯层和部分包层熔接；所述细微结构光纤的芯层小于第二单模光纤的芯层，所述第二单模光纤的芯层与细微结构光纤的芯层和部分包层熔接；所述第一单模光纤、第二单模光纤分别作为光源的入射光纤和透射光纤。

2.一种基于马赫曾德尔干涉的全光纤传感器，其特征在于，所述全光纤传感器包括：第一单模光纤、多模光纤、细微结构光纤和第二单模光纤，所述第一单模光纤-多模光纤-细微结构光纤-第二单模光纤顺序组合熔接；所述第一单模光纤的芯层小于多模光纤的芯层，所述第一单模光纤的芯层和部分包层，与多模光纤的芯层熔接；所述多模光纤的芯层与细微结构光纤的芯层和部分包层熔接；所述细微结构光纤的芯层小于第二单模光纤的芯层，所述第二单模光纤的芯层与细微结构光纤的芯层和部分包层熔接,所述第二单模光纤的右端面被刨平或镀膜处理作为反射镜；所述第一单模光纤作为光源的入射光纤和反射光纤。

3.根据权利要求2所述的基于马赫曾德尔干涉的全光纤传感器，其特征在于，所述第一单模光纤-多模光纤-细微结构光纤-第二单模光纤顺序结构中去掉了所述第二单模光纤，所述细微结构光纤的右端面被刨平或镀膜处理作为反射镜。

4.根据权利要求1至3之一所述的基于马赫曾德尔干涉的全光纤传感器，其特征在于，所述第一单模光纤与第二单模光纤种类相同，都是普通单模光纤，多模光纤是普通多模光纤。

5.根据权利要求4所述的基于马赫曾德尔干涉的全光纤传感器，其特征在于，所述熔接通过普通的光纤熔接机熔接实现。