[发明专利]种超低功耗快速启动晶体振荡器电路有效
申请号: | 201210559927.X | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN103066942A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 肖时茂;潘文光 | 申请(专利权)人: | 无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司 |
主分类号: | H03H9/10 | 分类号: | H03H9/10;H03H9/19 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 种超低 功耗 快速 启动 晶体振荡器 电路 | ||
1. 一种超低功耗快速启动晶体振荡器电路,其特征是:包括自偏置的AB类放大器(21)、信号幅度检测电路(22)、基准电流产生电路(23)、电流镜像电路(24)、石英晶体谐振电路(25)、数字逻辑控制电路(26),所述信号幅度检测电路(22)的输入端连接自偏置的AB类放大器(21),信号幅度检测电路(22)的输出端连接基准电流产生电路(23),基准电流产生电路(23)的输出端连接电流镜像电路(24),电流镜像电路(24)的输出端再连接自偏置的AB类放大器(21),石英晶体谐振电路(25)的两端连接自偏置的AB类放大器(21)的输入端和输出端,自偏置的AB类放大器(21)输出端通过输出缓冲器连接数字逻辑控制电路(26)的输入端,数字逻辑控制电路(26)的控制逻辑信号输出端分别接基准电流产生电路(23)、电流镜像电路(24);
所述自偏置的AB类放大器(21)的直流工作点由放大器自己偏置,放大器的工作状态为AB类,放大器的增益由通过本身的电流决定;
所述信号幅度检测电路(22)将自偏置AB类放大器(22)的输入交流信号变换成直流电压信号,它的输出由基准电流产生电路(23)变换成直流电流;
所述电流镜像电路(24),将基准电流产生电路(23)产生的直流电流比例的镜像后给自偏置的AB类放大器(21)提供直流电流;
所述石英晶体谐振电路(25),作为选频网络,与自偏置的AB类放大器(21)组成负阻振荡电路,产生出固定频率的振荡信号,电路的振荡频率由石英晶体本身的固有频率决定;
所述数字逻辑控制电路(26),根据自偏置的AB类放大器(21)输出信号,产生控制逻辑信号,实现电流的粗调整;电路刚启动时,数字逻辑控制电路(26)控制电流镜像电路(24)产生大的电流,自偏置的AB类放大器(21)具有大的电压增益,负阻振荡电路能够快速启动,当负阻振荡电路启动后,数字逻辑控制电路(26)关闭电流粗调整,自偏置的AB类放大器(21)工作在小的工作电流条件下,从而实现低功耗振荡。
2.根据权利要求1所述超低功耗快速启动晶体振荡器电路,其特征在于,所述的自偏置的AB类放大器(21)结构包括:第零NMOS管(M0)的漏极与第一PMOS管(M1)的漏极相连,为自偏置的AB类放大器(21)的输出端;第零NMOS管(M0)的栅极与第一PMOS管(M1)的栅极相连,为自偏置的AB类放大器(21)的输入端,AB类放大器(21)的输出端和输入端之间连接第一电阻(R1),提供自偏置电压;第一电容(C1)为交流滤波电容,第一电容(C1)负端连接第零NMOS管(M0)的源极,第一电容(C1)正端连接第一PMOS管(M1)的源极,第零NMOS管(M0)源极连接电流镜像电路(24)的输出端,第零NMOS管(M0)源极接地;整个自偏置的AB类放大器(21)的电压放大增益由流过第一PMOS管(M1)源极的电流控制,自偏置的AB类放大器(21)的输出端连接输出缓冲器(BUF),输出缓冲器(BUF)将自偏置的AB类放大器(21)输出的正弦波信号变成方波或矩形波信号。
3.根据权利要求1所述的超低功耗快速启动晶体振荡器电路,其特征在于,所述的信号幅度检测电路(22)结构包括:第七NMOS管(M7)为幅度检测管,第七NMOS管(M7)栅极通过第二电容(C2)连接自偏置的AB类放大器(21)的输入端,第七NMOS管(M7)漏极连接电流源(IB)以及第三电阻(R3)一端,第二电阻(R2)连接在第七NMOS管(M7)的漏极与栅极之间,给第七NMOS管(M7)提供直流偏置电压,第三电阻(R3)另一端连接第三电容(C3)正极以及基准电流产生电路(23)的输入端,第三电容(C3)负极接地,第三电阻(R3)与第三电容(C3)构成低通滤波器,滤除第七NMOS管(M7)输出的交流信号;第二电容(C2)一端连接自偏置的AB类放大器(21)的输入端,另一端连接第七NMOS管(M7)的栅极,起交流信号耦合作用;电流源(IB)连接到电源,给信号幅度检测电路(22)提供直流电源。
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