[发明专利]线性高压LED驱动器保护电路有效

专利信息
申请号: 201210556930.6 申请日: 2012-12-20
公开(公告)号: CN103887769B 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 杨波;杨世红 申请(专利权)人: 陕西亚成微电子股份有限公司
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20;H05B37/02
代理公司: 北京华创博为知识产权代理有限公司11551 代理人: 张波涛,管莹
地址: 710075 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 线性 高压 led 驱动器 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种线性高压LED驱动器保护电路,包括用于驱动LED灯串导通的驱动开关,其特征在于,还包括用于保护所述驱动开关的过压保护电路;其中所述过压保护电路检测驱动开关两端的电压并当电压超过某一设定值时使驱动开关关断;

所述过压保护电路包括用于监测每个驱动开关两端电压的电压采样单元、用于对电压采样单元采集到的信号进行处理的信号处理单元、用于当所述驱动开关两端的电压超过某一设定值时控制其关断的控制开关单元,其中所述电压采样单元与所述信号处理单元相连,所述信号处理单元与所述控制开关单元相连。

2.根据权利要求1所述的线性高压LED驱动器保护电路,其特征在于,

所述LED灯串包括:至少2段LED灯串;所述线性高压LED驱动器保护电路包括分别对应每段LED灯串的各个驱动开关及各个过压保护电路;

所述驱动开关用于驱动每段LED灯串导通;

所述过压保护电路对每一路驱动开关分别进行保护。

3.根据权利要求2所述的线性高压LED驱动器保护电路,其特征在于,所述各个驱动开关为第一NMOS管。

4.根据权利要求3所述的线性高压LED驱动器保护电路,其特征在于,所述过压保护电路中的所述电压采样单元及信号处理单元包括串联电阻,其一端连接在所述过压保护电路所对应的LED灯串之后,另一端接地;所述控制开关单元为基极连接在串联电阻之间、发射极接地、集电极与所述第一NMOS管栅极连接的NPN三极管。

5.根据权利要求3所述的线性高压LED驱动器保护电路,其特征在于,所述电压采样单元及信号处理单元包括串联电阻R1及R2和信号误差比较器,所述控制开关单元包括第二NMOS管,所述串联电阻R1及R2其一端连接在每段LED灯串之后,另一端接地;所述信号误差比较器的输入端正极连接在电阻R1及R2之间、负极接基准电压,输出端与第二NMOS管的栅极连接;所述第二NMOS管漏极与第一NMOS管的栅极连接、第二NMOS管源极接地。

6.根据权利要求1所述的线性高压LED驱动器保护电路,其特征在于,所述驱动开关器件为NMOS管、PMOS管、NPN三极管、PNP三极管其中之一。

7.根据权利要求4所述的线性高压LED驱动器保护电路,其特征在于,还包括二极管及总控制信号输入端,所述二极管的正极与总控制信号输入端连接,所述二极管的负极连接至NPN三极管的基极。

8.根据权利要求2所述的线性高压LED驱动器保护电路,其特征在于,所述电压采样单元为电阻分压电路采样或电容分压电路采样。

9.根据权利要求2所述的线性高压LED驱动器保护电路,其特征在于,所述控制开关单元器件为NMOS管、PMOS管、NPN三极管、PNP三极管其中之一。

10.根据权利要求1-9任一所述的线性高压LED驱动器保护电路,其特征在于,所述过压保护电路随驱动开关外置于驱动控制芯片之外;或采用集成电路的形式随驱动开关内置于驱动控制芯片之内。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西亚成微电子股份有限公司,未经陕西亚成微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210556930.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top