[发明专利]微电机结构的制造方法

权利要求书

1.一种微电机结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在基片上制备微机结构的e层图形；

步骤二、采用旋涂和烘烤工艺在形成有所述e层图形的所述基片上形成非感光性聚酰亚胺膜层；

步骤三、采用光刻工艺在所述非感光性聚酰亚胺膜层上形成光刻胶图形，对所述光刻胶图形下方的所述非感光性聚酰亚胺膜层做进一步显影或干法刻蚀形成非感光性聚酰亚胺图形；

步骤四、去除所述光刻胶图形,形成由所述非感光性聚酰亚胺图形组成的f层图形；

步骤五、对所述非感光性聚酰亚胺图形进行填充，填充物的底部和所述e层图形相连接；在形成有所述填充物的所述非感光性聚酰亚胺图形表面形成g层膜层；

步骤六、采用光刻刻蚀工艺对所述g层膜层进行刻蚀形成g层图形，所述g层图形通过所述填充物和所述e层图形连接；

步骤七、采用显影去除所述非感光性聚酰亚胺图形，形成由所述g层图形、所述填充物和所述e层图形连接形成的所述微机结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中所述e层图形为金属图形，氧化硅图形，单晶硅图形。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述非感光性聚酰亚胺膜层对波长436nm的G-line、365nm的I-line、248nm的KrF和193nm的ArF中的任意一种或多种光不具有光敏性；所述非感光性聚酰亚胺膜层的厚度为大于0微米且小于等于50微米。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中的光刻工艺中的光刻胶为曝光波长为436nm的G-line、365nm的I-line、248nm的KrF和193nm的ArF中的任意一种或多种的正性光刻胶或负性光刻胶。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤三中的光刻工艺中的光刻胶包括感光性聚酰亚胺。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤五中所述填充物的材料和所述g层膜层的材料不同且采用两步工艺依次形成所述填充物和所述g层膜层；或者，步骤五中所述填充物的材料和所述g层膜层的材料相同且采用一步工艺形成所述填充物和所述g层膜层。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述填充物的材料为金属，氧化硅，所述g层膜层的材料为金属，氧化硅。

8.如权利要求1或6或7所述的方法，其特征在于：所述g层膜层的制备工艺温度为0℃～200℃，所述g层膜层的材料为氧化硅、铝、TiN或Ti。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤中对所述g层膜层进行的刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。