[发明专利]芯片级测试装置无效
| 申请号： | 201210548259.0 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103064004A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 王云锋 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R31/26;G01R31/12 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片级 测试 装置 | ||
1.一种芯片级测试装置，用于测试芯片的电气特性参数，包括测试针和测试模块，所述测试模块通过所述测试针连接所述芯片的测试位置，其特征在于，还包括击穿模块，所述击穿模块的击穿电流输出端连接所述测试针；
所述击穿模块用于提供击穿电流，击穿所述测试针与所述芯片的测试位置的接触电阻；
所述测试模块用于在所述击穿模块击穿所述测试针与所述芯片的测试位置的接触电阻后对所述芯片进行芯片级测试。
2.根据权利要求1所述的芯片级测试装置，其特征在于，所述击穿模块为电流源模块或电压模块。
3.根据权利要求2所述的芯片级测试装置，其特征在于，所述电流源模块提供的击穿电流小于所述芯片的安全电流，所述电压模块提供的击穿电压小于所述芯片的安全电压。
4.根据权利要求2所述的芯片级测试装置，其特征在于，所述电压模块、所述电流源模块均为可调电源。
5.根据权利要求1所述的芯片级测试装置，其特征在于，所述芯片为芯片级晶体管。
6.根据权利要求5所述的芯片级测试装置，其特征在于，测试所述芯片级晶体管的电气特性参数时，所述测试针分别连接所述芯片级晶体管的基区压焊区和发射区压焊区。
7.根据权利要求1所述的芯片级测试装置，其特征在于，还包括测试针架，用于将所述测试针固定在所述芯片所在的承片台上方。
8.根据权利要求1所述的芯片级测试装置，其特征在于，所述测试针为高电流测试针。
9.根据权利要求1所述的芯片级测试装置，其特征在于，还包括显示模块，所述显示模块连接所述测试模块，用于显示测试模块测试的数据。
10.根据权利要求1所述的芯片级测试装置，其特征在于，还包括存储模块，所述存储模块连接所述测试模块，用于存储所述测试模块的测试数据。
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