[发明专利]一种多组电压的OVP保护线路

说明书

技术领域

本发明涉及多组电压过载保护技术领域，具体的说是一种多组电压的OVP保护线路。

背景技术

现在人们的生活已经离不开电子产品，而电子产品的安全性和人们的生活也息息相关，研发人员在设计时要考虑在硬件出现故障时，怎么实现自我保护，一方面保护整个线路不受损害在排除故障时能够自恢复，另一方保护使用人的安全。一些著名的品牌产品也提出更高的要求：无烟无火无异味。所以保护线路在硬件设计是非常重要的，电压保护是保护线路一部分，现在主流电压保护一般采用专用的保护芯片，对成本和设计灵活性以及可修复性有很多弊端。因而，现在需要一种低成本，多路侦测，易调节，自恢复，lockout的保护线路。

发明内容

本发明的技术任务是解决现有技术的不足，提供一种低成本，多路侦测，易调节，自恢复的多组电压OVP保护线路。

本发明的技术方案是按以下方式实现的，该一种多组电压的OVP保护线路，包括顺序串联的多电压采样电路、电压侦测电路和延时自锁保护电路，其中

多电压采样电路负责将多组电压中最高的电压输入到电压侦测电路；

电压侦测电路判断接收到的电压是否超过临界电压，当实际电压超过临界电压时，触发延时自锁保护电路；

延时自锁保护电路触动时，整个系统断电，整个线路处于保护状态。

所述多电压采样电路包括相互并联的若干组分压电路，所述每组分压电路的具体结构为：在电压输入端连接有分压电阻，该分压电阻的输出端连接二极管的正极和另一保护电阻的输入端，所述二极管的负极连接电压侦测电路，另一保护电阻的输出端接地。

在上述技术方案中的多电压采样电路利用电阻分压将高的电压转换成较低的电压（如果电压本来就够低的话，则不用分压电阻分压，直接连接到二级管），然后再利用二极管的单向导通特性，将使一个电压高的通过二极管到达下述技术方案中电压侦测IC芯片的VDD管脚，所以只要一路的电压过高就会导致二极管后端的电压侦测IC芯片的VDD管脚电压过高。

所述电压侦测电路包括电压侦测IC芯片、一个MOS管，所述电压侦测IC芯片的输入端连接多电压采样电路输出的电压，该芯片的输出端连接MOS管的栅极，所述MOS管的源极接地、漏极接延时自锁电路，上述芯片的输出端还分别通过两个电阻连接5VAUX和地，所述5VAUX指常5V电源。

上述技术方案中通过二极管的电压输入到电压侦测IC芯片，该芯片的功能是当输入管脚的电压低于2.5V时，输出管脚会被拉低；当输入管脚的电压高于2.5V,它的输出管脚就会被设置为高阻抗。所以一旦前面的任何一个电压过高并且使二极管后面的电压超过2.5V ,芯片的输出管脚就会被设置为高阻抗，电压侦测电路中的MOS管就会导通。

所述延时自锁电路包括三个顺序串联的反向延时器U8A、U8C、U8B，电压侦测电路输出的电压连接U8A的和U8B的输入端，U8A、U8C、U8B均通过同一电阻连接有电源VBT，U8B的输出端连接一MOS管的栅极，该MOS管的源极接地、漏极接电源开启端。

电压侦测电路中的MOS管导通后，U8A输入的会是低电平，经过U8A,U8B,U8C三个反向延时器后输出高电平，并打开该电路中的MOS管,并将电源开启端信号拉低，使系统断电，整个系统无法开机。进而完成OVP点触发保护，并且将其锁定在保护状态。

上述电压侦测电路和电压侦测电路中的MOS管均为N沟道MOS管。

本发明与现有技术相比所产生的有益效果是：

本发明的一种多组电压的OVP保护线路可多组电压侦测，同时具有延时和自锁功能：其多路电压侦测功能可以节省成本，延时可以让线路不会被外界的niose 所干扰造成误动作，当发生OVP后可以将整个系统锁定，提高发生故障时候的安全性，因而，本发明易于推广使用。

附图说明

附图1是本发明的整体结构示意框图。

附图2时本发明的多电压采样电路图。

附图3是本发明的电压侦测电路图。

附图4是本发明的延时自锁电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的一种多组电压的OVP保护线路作以下详细说明。

如附图1所示，该一种多组电压的OVP保护线路，包括顺序串联的多电压采样电路、电压侦测电路和延时自锁保护电路，其中

多电压采样电路负责将多组电压中最高的电压输入到电压侦测电路；