[发明专利]刻蚀掩模膜的测评有效
申请号: | 201210543905.4 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN103123441A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 五十岚慎一;吉川博树;稻月判臣;金子英雄 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F1/80;G03F1/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李跃龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 掩模膜 测评 | ||
1.连同光掩模坯料,其包含透明衬底、该衬底上用于形成光掩模图案的图案形成膜以及图案形成膜上用于在图案形成膜的刻蚀期间作为掩模的刻蚀掩模膜,
一种测评所述刻蚀掩模膜的方法,包括步骤:
测量第一刻蚀完成时间(C1),其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间,此时由图案形成膜形成光掩模图案,
测量第二刻蚀完成时间(C2),其是在施加于刻蚀掩模膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间,此时由刻蚀掩模膜形成刻蚀掩模图案,以及
计算第一刻蚀完成时间与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2),由此测评刻蚀掩模膜的性能。
2.如权利要求1所述的测评方法,其中施加于图案形成膜的刻蚀是氟基干法刻蚀,并且施加于刻蚀掩模膜的刻蚀是氯基干法刻蚀。
3.如权利要求1所述的测评方法,其中图案形成膜由包含硅和其它金属的材料形成,并且刻蚀掩模膜由包含铬的无硅材料形成。
4.如权利要求2所述的测评方法,其中图案形成膜由包含硅和其它金属的材料形成,并且刻蚀掩模膜由包括铬的无硅材料形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社,未经信越化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210543905.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备