[发明专利]门极控制电压产生电路有效
| 申请号： | 201210532474.1 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103871467B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 冯国友;王鑫 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 电压 产生 电路 | ||
1.一种门极控制电压产生电路，其特征在于，包括：第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一N型晶体管、第二N型晶体管、第三N型晶体管及运算放大器，其中运算放大器的负输入端输入一个参考电压，运算放大器的输出端、第一P型晶体管的栅极、第二P型晶体管的栅极及第三P型晶体管的栅极相连，第一P型晶体管的源极、第二P型晶体管的源极及第三P型晶体管的源极相连在外部电压上，第一P型晶体管的漏极通过一个第二电阻与运算放大器的正输入端连接，形成反馈，第一电阻的一端与运算放大器的正输入端相连，另一端接地；第二P型晶体管的漏极与第三N型晶体管的漏极相接并通过一个第四电阻与第三N型晶体管的栅极及第二N型晶体管的漏极相连，第三N型晶体管的栅极引出一路作为门极控制电压，第三N型晶体管的源极通过一个电阻接地；第三P型晶体管的漏极与第一N型晶体管的漏极、第一N型晶体管的栅极、第二N型晶体管的栅极相连，第一N型晶体管的源极、第二N型晶体管的源极相连接地。
2.如权利要求1所述的门极控制电压产生电路，其特征在于，所述第一P型晶体管的尺寸宽度与所述第二P型晶体管的尺寸宽度及所述第三P型晶体管的尺寸宽度的比为N:L:(M+L)，其中M、L、N为大于0的数。
3.如权利要求1所述的门极控制电压产生电路，其特征在于，所述第一N型晶体管的尺寸宽度与所述第二N型晶体管尺寸宽度的比为A：B，其中A、B为大于0的数。
4.如权利要求3所述的门极控制电压产生电路，其特征在于，所述第一N型晶体管的尺寸宽度与所述第二N型晶体管尺寸宽度相等，即A＝B。
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