[发明专利]荧光晶体及使用其的发光装置无效

专利信息
申请号: 201210522090.1 申请日: 2012-12-07
公开(公告)号: CN103849379A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 冉紫明 申请(专利权)人: 冉紫明
主分类号: C09K11/59 分类号: C09K11/59;H01L33/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 409806 重庆市酉*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 荧光 晶体 使用 发光 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种荧光材料,特别涉及包括使所述荧光材料的晶体。

背景技术

显示和照明技术的发展给人类的生活带来巨大的改变,尤其是白光LED的出现,是LED从标识功能向照明功能跨出的实质性一步。白光LED最接近日光,更能较好反映照射物体的真实颜色。由于它还具有无污染、长寿命、耐震动和抗冲击的鲜明特点,从技术角度看,白光LED无疑是LED最尖端的技术,将成为21世纪的新一代光源——第四代电光源,白光LED的应用市场将非常广泛。 

目前在现有技术领域,实现照明和显示的方式,以通过紫外芯片或蓝光芯片激发荧光材料的方法或者低压汞放电产生紫外线激发荧光粉的方法为主。但是,由于受到荧光材料的限制,这些方法都存在一定的局限性。 

近年来,人们将Sialon结构陶瓷改进为先进的功能陶瓷荧光体。 Sialon结构有a和b相,它们都被发展为先进的荧光体。a-Sialon的组成可表示为MxSi12-(m+n)Alm+nOnN16-n。M为Li+,Ca2+,Eu2+,Mg2+及半径较小的三价稀土离子,n≥0。这样可组成一个大家族。

Ca-a-Sialon:Eu2+荧光体的体色和发光性质与Eu2+浓度密切相关,是一种高效、新的黄色荧光体。激发光谱呈现两个峰值分别为~300nm和~400nm相当宽的宽带。它能被NUV和450nm蓝光有效激发。其发射光谱是一个强宽谱带,它的发射峰Eu2+浓度相关,在583~603nm范围。这类激发和发射光谱是Eu2+的4f~7 4f b 5d 跃迁。荧光体的发光强度随

Eu2+浓度增加而增加,达到0.075mol时最佳,然后发生浓度猝灭,强度下降。 

这种具有不同Eu2+浓度的Ca-a-Sialon:Eu黄色荧光体的CIE色坐标值,从x=0.491,y=0.497(Eu2+=0.01)可变化到x=0.560,y=0.436(Eu2+=0.25)。因此,它可以和其荧光体结合使用。

  b –Sialon : Eu2+荧光体可以被280~480nm光激发,发射绿光。在 303nm,406nm及450nm分别激发得到相同的发射光谱。发射光谱的半高宽为55nm,发射峰为535nm,色坐标 x=0.32,y=0.64,展现优良的色纯度特性。

低亮度不仅在例如照明器的光学装置中是不利的,而且在包括荧光晶体的显示装置中也是不利的,因此需要提高亮度。 

通常,在荧光晶体的吸收波长范围内存在某一趋势,并根据吸收波长范围选择激发荧光晶体的辐射光的波长。然而,在某些显示装置中,不仅来自荧光晶体的发射光,而且上述辐射光本身也用于像素的一部分。因此,辐射光的选择还是受到了限制。 

鉴于上述情况,需要提供一种兼具高色纯度及提高的亮度的荧光晶体,所述荧光晶体通过具有所需波长范围的光辐射而受到激发。

发明内容

因此,本发明的目的是提供了一种荧光材料晶体;

本发明的另一目的是提供了一种使用该荧光材料晶体的发光装置;

所述荧光材料的化学组成表示式为:Sr3.97SiO6:Eu0.03,该晶体属于斜方晶系,其空间群为P21,a=16.10 ?,b=8.70 ?,c=19.05 ?,β=90.1°,V=2668.33 ?3

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