[发明专利]固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法以及电子装置

权利要求书

1.一种固态摄像装置，其包括：

多个光电转换单元；

元件隔离单元，其在所述多个光电转换单元之间进行元件隔离；以及

扩散阻止单元，其用于阻止在所述元件隔离单元的界面上生成的暗电流成分扩散到围绕所述暗电流成分的生成区的区域。

2.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，所述扩散阻止单元至少沿着所述元件隔离单元的底面形成。

3.根据权利要求1或者2所述的固态摄像装置，其进一步包括：

第一导电型的第一区域，其形成为比所述元件隔离单元的底面深、覆盖所述元件隔离单元的位于所述光电转换单元侧的侧壁、并且比所述光电转换单元周围的第一导电型的阱区具有更高的杂质浓度。

4.根据权利要求3所述的固态摄像装置，其中，所述扩散阻止单元包括沿着所述元件隔离单元的底面形成的第一导电型的第二区域，并且所述第二区域的杂质浓度比所述阱区的杂质浓度低。

5.根据权利要求4所述的固态摄像装置，其中，所述第二区域在深度方向上的宽度为5nm～50nm。

6.根据权利要求4所述的固态摄像装置，其中，所述第二区域的底面的深度形成为比所述第一区域的底面浅。

7.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中，所述元件隔离单元的与所述光电转换单元相反的一侧设有施加了固定电位的元件区。

8.根据权利要求7所述的固态摄像装置，

其中，通过施加所述固定电位，被所述扩散阻止单元阻止了扩散的所述暗电流成分被所述元件区中生成的电场吸引并流入所述元件区中。

9.根据权利要求7所述的固态摄像装置，其中，所述扩散阻止单元沿着所述元件隔离单元的与所述光电转换单元相反的一侧的侧壁形成，从而使所述扩散阻止单元在所述元件区侧的端部与所述元件区相接触。

10.根据权利要求7所述的固态摄像装置，其中，所述元件区是像素晶体管的源/漏区，并且所述源/漏区施加有电源电位。

11.根据权利要求10所述的固态摄像装置，其中，所述元件隔离单元将所述光电转换单元与所述像素晶体管隔离。

12.根据权利要求10所述的固态摄像装置，其中，所述像素晶体管是复位晶体管，所述复位晶体管对浮动扩散区进行复位，电荷从所述光电转换单元被传输至所述浮动扩散区。

13.根据权利要求10所述的固态摄像装置，其中，所述像素晶体管是放大晶体管，所述放大晶体管对与浮动扩散区的电荷相对应的电压进行放大，所述电荷从所述光电转换单元被传输至所述浮动扩散区。

14.根据权利要求3所述的固态摄像装置，

其中，所述扩散阻止单元包括第一导电型的第三区域，其沿着所述元件隔离单元的底面在深度方向上与所述底面相隔仅预定间隔而形成，并且

所述第三区域的杂质浓度比所述阱区的杂质浓度高。

15.根据权利要求14所述的固态摄像装置，其中，所述第一导电型的第三区域形成为其底面比所述第一区域的底面浅。

16.根据权利要求14所述的固态摄像装置，其中，所述第一导电型的第三区域设置为在深度方向上与所述元件隔离单元的底面相隔5nm～10nm。