[发明专利]全光纤宽带超荧光光源

权利要求书

1.一种全光纤结构宽带超荧光光源，其特征在于，包括：

泵浦装置，所述泵浦装置采用半导体激光器从侧面泵浦方式，泵浦光从侧面泵浦注入；

增益光纤，所述增益光纤与所述泵浦装置相连，对所述泵浦光进行增益；和

端面镀膜反射镜，所述端面镀膜反射镜位于所述增益光纤的末端，具有宽带反射或半反半透光学特性，

其中，所述泵浦光的注入方向和镀膜反射镜的反射方向相反。

2.如权利要求1所述的全光纤结构宽带超荧光光源，其特征在于，所述泵浦装置进一步包括：

至少一个半导体激光器，用于产生激光；

多合一合束器，用于将所述半导体激光器产生的激光合为一束泵浦光并传送给侧面泵浦合束器；

所述侧面泵浦合束器，所述侧面泵浦合束器的泵浦端与所述合束器相连，公共端与所述增益光纤相连，输出端作低反馈处理形成ASE输出端。

3.如权利要求1和2所述的全光纤结构宽带超荧光光源，其特征在于，所述增益光纤为掺杂光纤，所述增益光纤的横截面上掺杂有铒、镱、钕、铥中的一种或多种稀土元素增益粒子。

4.如权利要求1-3所述的全光纤结构宽带超荧光光源，其特征在于，所述泵浦耦合器为所述增益光纤直接熔融角度抛光制成。

5.如权利要求1-4任一项所述的全光纤结构宽带超荧光光源，其特征在于，所述端面镀膜反射镜，为所述增益光纤的末端直接端面镀膜形成；或者，用一小段与所述增益光纤参数相同的掺杂或未掺杂光纤端面镀膜后，再熔接到所述增益光纤的末端形成。

6.如权利要求1所述的全光纤结构宽带超荧光光源，其特征在于，所述侧面泵浦耦合器，用与所述增益光纤参数相同的掺杂或未掺杂光纤直接熔融角度抛光制成后，再熔接到所述增益光纤一端来代替。

7.如权利要求7所述的全光纤结构宽带超荧光光源，其特征在于，所述宽带超荧光光纤光源的输出端切成8度角并置于折射率匹配液中。

8.如权利要求3所述的全光纤结构宽带超荧光光源，其特征在于，所述增益粒子在所述增益光纤横截面上的掺杂方式为平顶掺杂、平顶部分掺杂或渐变式掺杂中的任何一种。

9.如权利要求1所述的全光纤结构宽带超荧光光源，其特征在于，所述增益光纤为单模光纤或多模大芯径或光子晶体光纤。