[发明专利]电子装置中使用的用于灭弧的氟塑料基材复合材料有效
申请号: | 201210505774.0 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103854917A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 刘宇 | 申请(专利权)人: | 施耐德电器工业公司 |
主分类号: | H01H33/76 | 分类号: | H01H33/76;H01H73/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王冉 |
地址: | 法国吕埃*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 使用 用于 氟塑料 基材 复合材料 | ||
1.一种复合材料,其含有:
作为基材的氟塑料;
1%-30%重量的用于释放氟元素的第一无机填料,其选自金属氟化物;
0.1%-10%重量的用于吸收电弧辐射和消散电弧能量的第二无机填料,其选自氧化物、硫化物、氮化物、硒化物和碳化物。
2.根据权利要求1所述的复合材料,其特征在于所述复合材料含有至少两种第二无机填料,优选含有两种第二无机填料。
3.根据权利要求1或2所述的复合材料,其中所述第一无机填料的质量为复合材料总质量的2%-25%,优选5%-20%。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的复合材料,其中所述第一无机填料优选选自CaF2、MgF2、BaF2、CeF3、CeF4和LaF3中的一种或多种,特别优选CaF2和/或CeF3。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的复合材料,其中所述第二无机填料的质量为复合材料总质量的0.1%-8%,优选0.1%-5%。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的复合材料,其中所述第二无机填料优选选自ZnO、GaN、TiO2、ZnS、ZnSe、SiC、SiO2、Al2O3、AlN、MoS2和BN中的一种或多种,特别优选MoS2和/或BN。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的复合材料,其中所述氟塑料选自PTFE、PFA、FEP和PCTFE,特别优选PTFE。
8.权利要求1-7中任一项所述的复合材料在电子装置中用于灭弧的用途。
9.根据权利要求8所述的用途,其中所述电子装置为在断路时产生电弧的电子装置,例如MV/HV负载断路开关设备、断路器或接触器。
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