[发明专利]控制LED温升的电路结构无效
申请号: | 201210504939.2 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103052213A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 黄方 | 申请(专利权)人: | 无锡中铂电子有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 何学成 |
地址: | 214112 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 led 电路 结构 | ||
技术领域
本发明涉及LED照明技术领域,特别涉及一种高亮LED照明中控制LED温升的电路结构。
背景技术
近年来,在LED照明技术领域,高亮度LED成为LED照明产品的趋势,诸多LED厂商纷纷推出高亮LED照明产品。众所周知,因为LED的亮度与驱动电流成线性关系,要实现LED的高亮度照明要求,就必须尽量使用最大电流驱动,但如此一来,LED的温度就会上升,而LED的平均寿命取决于工作温度,工作温度仅上升10℃便可使其寿命缩短一半。这种情况迫使设计人员必须降低调节电流,牺牲亮度来延长使用寿命;如果要求LED在较高的环境温度下工作,则必须进一步降低电流来最小化环境到芯片温升,以保证使用寿命。但是由于存在温度上限,这样做会降低中低环境温度范围的照明亮度,达不到高亮度的使用要求。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明提出一种控制LED温升的电路结构,在保证LED的驱动电流尽可能大以保证高亮度的情况下,控制LED的温升来保证其使用寿命。
为达到本发明的目的,本发明的控制LED温升的电路结构包括调节LED阵列电流的检测电阻器R7,包括一电阻R9的运算放大器电路以及热敏电阻RT1,所述检测电阻器R7同时作为控制器的反馈控制,所述运算放大器的输出电压通过所述检测电阻器R7的电压调节来控制;所述热敏电阻RT1靠近驱动电路板上的中央LED连接。
本发明的电路结构中使用了热敏电阻控制运算放大器的LED驱动电路,其在LED电路板温度上升时降低驱动电流,从而降低LED的功耗,并最终降低LED的温升。这种电路结构可以延长LED在极端环境下的有效使用寿命。
附图说明
通过下面结合附图的详细描述,本发明前述的和其他的目的、特征和优点将变得显而易见。其中:
图1所示为本发明的控制LED温升的电路结构的结构原理图。
具体实施方式
如图1所示的本发明的一实施例的控制LED温升的电路结构的结构原理图,所述的电路结构中,包括调节LED阵列电流的检测电阻器R7,包括电阻R9的运算放大器电路以及热敏电阻RT1,所述检测电阻5器R7同时作为控制器的反馈控制,所述运算放大器的输出电压通过所述检测电阻器R7的电压调节来控制;所述热敏电阻RT1靠近驱动电路板上的中央LED连接。
结合图1详述本发明的LED温升的控制原理如下:LED阵列电流通过检测电流检测电阻器R7的电压来调节,并用作控制器的反馈控制;运算放大器电路(包括R9),向反馈节点(FB)注入一个电流以降低调节电流,或者灌入它的电流来增加调节电流;FB节点电压保持0.26V恒定不变。提高运算放大器输出(TP1)的电压,必须通过降低R7电压来获得补偿,从而降低LED电流;当运算放大器输出刚好为0.26V时,注入电流为零,而LED调节不受影响。
热敏电阻RT1是一个负温度系数(NTC)器件。25℃下它的标称电阻为10K欧姆,但在–40℃下增加至300K欧姆以上,而在100℃下则降低至1K欧姆以下,并且是以一种非线性的方式。电阻器R8和R10将5V偏置电压调低接近FB电压,而R9的值则控制电流随高温变化减小的快慢。使用较好调节的偏置电压非常重要,因为电路的精确度受到偏置容限的影响。电阻器R9必须尽可能地靠近电流模式增压控制器放置,目的是最小化噪声敏感度。使用热环氧,将热敏电阻RT1尽可能靠近PWB上的中央LED连接。
高温环境下,使用驱动高功率LED会使LED亮度退化、使用寿命缩短,这种情况下热反馈电路便非常有用。它可以降低LED的电流,从而降低LED的功耗,并最终降低LED的温升。本发明的这种电路结构可以延长LED在极端环境下的有效使用寿命。
本发明并不局限于所述的实施例,本领域的技术人员在不脱离本发明的精神即公开范围内,仍可作一些修正或改变,故本发明的权利保护范围以权利要求书限定的范围为准。
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