[发明专利]一种可钢化超高透单银低辐射玻璃有效

专利信息
申请号: 201210491299.6 申请日: 2012-11-26
公开(公告)号: CN102950842A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 杨柳;刘昕 申请(专利权)人: 中山市创科科研技术服务有限公司
主分类号: B32B17/06 分类号: B32B17/06;C03C17/36
代理公司: 中山市汉通知识产权代理事务所 44255 代理人: 田子荣;石仁
地址: 528400 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 可钢化 超高 透单银低 辐射 玻璃
【说明书】:

技术领域:

发明涉及一种可钢化超高透单银低辐射玻璃。

背景技术:

现有的玻璃,在实现防辐射功能的同时,又导致其透光率较低,故有必要对现有的玻璃作出改进,以提供一种既能防辐射,又具有高透光率的玻璃。

发明内容:

本发明的目的在于提供一种可钢化超高透单银低辐射玻璃,其可在保证透光率的同时,降低红外辐射。

一种可钢化超高透单银低辐射玻璃,包括玻璃基材,其特征在于:还包括由下而上依次设于玻璃基材上表面的一Si3N4介质层、一TiO2介质层、一NbOx折射层、一CrNx阻挡层、一AZO平整层、一降辐射镀Ag层、一CrNxOy膜层、一TiO2保护层、以及一Si3N4Oy介质层。

作为上述方案的一种改进,所述Si3N4介质层的厚度为20~50nm。

作为上述方案的进一步改进,所述TiO2介质层的厚度为10~30nm。

作为上述方案的进一步改进,所述NbOx折射层的厚度为5~10nm。

作为上述方案的进一步改进,所述CrNx阻挡层的厚度为0.5~3nm。防止Ag被氧化。

作为上述方案的进一步改进,所述AZO平整层的厚度为5~20nm。平滑所述CrNx阻挡层,为Ag层作铺垫,降低辐射率。

作为上述方案的进一步改进,所述降辐射镀Ag层的厚度为7~10nm。可大大降低红外辐射。

作为上述方案的进一步改进,所述CrNxOy膜层的厚度为0.5~5nm。可提高膜层耐磨性、提高透光率、提高钢化时抗高温氧化性。

作为上述方案的进一步改进,所述TiO2保护层的厚度为20~50nm。耐腐蚀性好。

作为上述方案的进一步改进,所述Si3N4Oy介质层的厚度为20~50nm。提高钢化时抗高温氧化性。

本发明具有如下优点:钢化前透光率达83%,钢化后透光率达86%,且辐射率小于0.07。

附图说明:

图1为本发明结构剖视图。

具体实施方式:

如图所示,一种可钢化超高透单银低辐射玻璃,包括玻璃基材1、以及由下而上依次设于玻璃基材1上表面的一Si3N4介质层2、一TiO2介质层3、一NbOx折射层4、一CrNx阻挡层5、一AZO平整层6、一降辐射镀Ag层7、一CrNxOy膜层8、一TiO2保护层9和一Si3N4Oy介质层10。

所述Si3N4介质层2的厚度为20~50nm。其采用磁控溅射镀膜工艺,用交流中频电源溅射半导体材料,该半导体材料为含Si和Al的半导体材料,其中Si、Al的比例为90:10,用氮气作反应气体,从而在玻璃基材表面形成Si3N4介质层。

所述TiO2介质层3的厚度为10~30nm。其采用磁控溅射镀膜工艺,用交流中频电源溅射陶瓷钛靶,用氧气作反应气体,最终在Si3N4介质层表面形成TiO2介质层。

所述NbOx折射层4的厚度为5~10nm。其采用磁控溅射镀膜工艺,用交流中频电源溅射陶瓷铌靶,最终在TiO2介质层表面形成NbOx折射层。

所述CrNx阻挡层5的厚度为0.5~3nm。其采用磁控溅射镀膜工艺,用直流电源溅射铬靶,用氮气作反应气体,最终在NbOx折射层表面形成CrNx阻挡层。防止Ag被氧化。

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