[发明专利]用于开关功率变换器的EMI频率扩展方法

权利要求书

1.一种开关功率变换器，包括：

变压器，其包括耦合到输入电压的初级绕组和耦合到所述开关功率变换器的输出的次级绕组；

开关，其耦合到所述变压器的初级绕组，响应于所述开关导通而在所述初级绕组中产生电流，并且响应于所述开关断开而不产生所述电流；以及

控制器，其耦合到所述开关并且被配置为产生控制信号以导通或断开所述开关，响应于所述控制信号处于第一状态而导通所述开关，并且响应于所述控制信号处于第二状态而断开所述开关，所述控制器进一步被配置为：

根据由所述开关功率变换器采用的调节模式来在每个开关周期中确定所述开关的期望导通时间；

选择被预测为继所述期望导通时间之后出现的跨所述开关的电压的多个预测的局部最小值中的一个最小值，所述选择基于选择信号的值进行；以及

在所述开关功率变换器的每个开关周期产生处于所述第一状态的所述控制信号，以在与所选择的跨所述开关的电压的多个预测的局部最小值中的最小值相对应的实际导通时间导通所述开关。

2.根据权利要求1所述的开关功率变换器，其中，所述控制器基于在所述期望导通时间确定的选择信号的值来选择跨所述开关的电压的多个预测的局部最小值中的一个最小值。

3.根据权利要求1所述的开关功率变换器，其中，所述控制器进一步被配置为：

响应于所述选择信号的第一值，在第一开关周期中选择被预测为继所述期望导通时间之后出现的跨所述开关的电压的多个预测的局部最小值中的第一最小值；以及

响应于所述选择信号的第二值，在第二开关周期中选择被预测为继所述期望导通时间之后并且也继所述多个预测的局部最小值中的所述第一最小值之后出现的跨所述开关的电压的多个预测的局部最小值中的第二最小值。

4.根据权利要求3所述的开关功率变换器，其中：

所述跨所述开关的电压的多个预测的局部最小值中的所述第一最小值是被预测为继所述期望导通时间之后出现的第n个预测的局部最小值，n为自然数；以及

所述跨所述开关的电压的多个预测的局部最小值中的所述第二最小值是被预测为继所述期望导通时间之后出现的第(n+1)个预测的局部最小值。

5.根据权利要求3所述的开关功率变换器，其中：

所述跨所述开关的电压的多个预测的局部最小值中的所述第一最小值是被预测为继所述期望导通时间之后出现的第n个预测的局部最小值，n为自然数；以及

所述跨所述开关的电压的多个预测的局部最小值中的所述第二最小值是被预测为继所述期望导通时间之后并且也继第(n+1)个被预测的局部最小值之后出现的被预测的局部最小值中的一个最小值。

6.根据权利要求1所述的开关功率变换器，其中，基于伪随机比特序列来产生所述选择信号的值。

7.根据权利要求1所述的开关功率变换器，其中，所述选择信号的值对应于预定的比特序列。

8.根据权利要求1所述的开关功率变换器，其中，所述跨所述开关的电压的所述预测的局部最小值中的所述最小值是被预测为紧随所述期望导通时间之后出现的第一局部最小电压，所述期望导通时间根据所述调节模式来确定。

9.根据权利要求1所述的开关功率变换器，其中，所述开关是双极结型晶体管，并且跨所述开关的电压对应于所述双极结型晶体管的集电极和发射极之间的电压。

10.根据权利要求1所述的开关功率变换器，其中，所述开关是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，并且跨所述开关的电压对应于所述MOSFET的漏极和源极之间的电压。

11.根据权利要求1所述的开关功率变换器，其中，所述控制器根据所述开关功率变换器采用的所述调节模式、独立于变压器复位周期或跨所述开关的电压的谐振周期而在每个开关周期中确定所述开关的所述期望导通时间。

12.根据权利要求1所述的开关功率变换器，其中，如果直到满足预定条件才进行对跨所述开关的电压的多个预测的局部最小值中的所述最小值的所述选择，则所述控制器产生处于所述第一状态的所述控制信号以在所述期望导通时间导通所述开关。