[发明专利]一种反相器、AMOLED补偿电路和显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及OLED显示技术领域，尤其涉及一种反相器、AMOLED补偿电路和显示面板。

背景技术

近年来，在显示图像的显示装置领域，已经开发了使用电流驱动型(其发光亮度根据流过的电流的值而改变)的光学器件，例如，有机电致发光器件(OLED)作为像素的发光器件的显示装置。与液晶器件等不同，OLED是自发光器件，在使用OLED的显示装置中，通过控制在OLED中的电流值来实现着色的分级。

如同液晶显示器，OLED显示装置中的驱动系统，存在无源矩阵系统和有源矩阵系统。前者在结构上简单，但是具有诸如难以实现大的和高分辨率的显示装置之类的缺点，因此，有源矩阵系统的开发是活跃的，在有源矩阵系统中，通过驱动晶体管来控制为每个像素布置的发光器件中的电流。

目前，在有源矩阵有机发光显示面板(AMOLED，Active Matrix OrganicLight Emitting Diode)设计中，尤其是大尺寸基板设计中，由于面板薄膜场效应晶体管(TFT，Thin Film Transistor)在制备工艺过程中的不均性以及不稳定性的问题，造成OLED电流的不均匀性。为了弥补由于背板生产过程中造成的TFT不均匀性所导致阈值电压漂移(Vth Shift)，以及长时间开启偏压造成的TFT稳定性下降的缺陷，需要进行补偿电路设计。现有技术使用单一P型晶体管(Pure PMOS)驱动电路，其输出的有效电位为低电位，但是在做节点初始化、阈值侦测以及数据输入的过程中，需要将OLED器件关闭，但是Pure PMOS因为使用单一的PMOS，其在栅极低电压的情况下是打开，而在栅极高电压的情况下关闭，而Pure PMOS驱动电路，一般输出的有效电平都是低电平，所以需要Pure PMOS驱动电路输出的信号进行翻转以使得OLED器件关闭，现有技术中使用发光控制(EMIT)驱动电路实现信号翻转。

为了实现低电位到高电位的翻转，现有技术中提出了一种反相器，其结构如图1a所示，包括两个P型TFT，其中，第一TFT的栅极与输入端IN连接，源极与高电压信号(VGH)连接，漏极与输出端(OUT连接)，第二TFT的栅极和漏极与低电压信号(VGL)连接，源极与OUT连接。图1b为图1a所示电路的控制时序图，结合图1b可知，当IN为高电位时，第一TFT截止，而由于第二TFT为Diode连接方式(第二TFT栅极和漏极均与低电压信号VGL连接)，因此，OUT输出为低电位，该低电位比VGL高出Vth；当IN为低电位时，第一TFT和第二TFT均导通，因此，OUT输出为高电位。但是上述电路中，OUT同时与VGH，VGL连接，如果TFT的开/关是完全的，那么OUT只会连接到VGH或者VGL，OUT输出电压一定是以VGH作为高电压，VGL作为低电压的，但是上述电路存在两个TFT同时导通的问题，因为分压的作用，OUT输出电压为其两者的中间电位，也就是输出时的高低电位处于这两者中间，这将造成高低电位不够，电源持续供电，增加了功耗，同时，输出的电位不够(输入-5V～10V，输出-4.43～5.07V)，无法有效控制像素中的TFT，使得补偿电路无法有效的工作。

发明内容

本发明实施例提供一种反相器、AMOLED补偿电路和显示面板，用以降低输出信号反向过程中的电路功耗，同时保证输出电位满足像素控制需求。

本发明实施例提供一种反相器，包括第一晶体管，第二晶体管，第三晶体管，第四晶体管，第一电容，其中，所述第一晶体管，第二晶体管，第三晶体管，第四晶体管均为P型薄膜晶体管TFT；以及

所述第一晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极连接，且所述第一晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极的公共端作为第一信号输入端；所述第一晶体管的源极与所述第三晶体管的源极连接，且所述第一晶体管的源极与所述第三晶体管的源极作为第二信号输入端；所述第一晶体管的漏极与所述第四晶体管的栅极、所述第二晶体管的源极连接于第一节点；

所述第二晶体管的栅极连接一第二时钟信号输入端，所述第二晶体管的漏极与所述第四晶体管的漏极连接，并且，所述第二晶体管的漏极与所述第四晶体管的漏极的公共端作为第三信号输入端；

所述第三晶体管的漏极与所述第四晶体管的源极连接，并且所述第三晶体管的漏极与所述第四晶体管的源极的公共端作为所述反相器的信号输出端；

所述第一电容的一端连接于所述第一节点，另一端连接一第一时钟信号输入端；

所述第二信号输入端输入高电压信号，所述第三信号输入端输入低电压信号。