[发明专利]热致发声器阵列

权利要求书

1.一种热致发声器阵列，其特征在于，包括：

一基底，该基底为硅基底，该基底具有一表面，在该基底的表面设置有多个热致发声器单元；

每个热致发声器单元进一步包括：

多个相互平行且间隔设置的凹槽设置于所述基底的表面；

至少一第一电极与至少一第二电极间隔设置，相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹槽；

一热致发声元件贴附于基底所述表面且与所述至少一第一电极与至少一第二电极电连接，所述热致发声元件在所述多个凹槽位置悬空设置。

2.如权利要求1所述的热致发声器阵列，其特征在于，所述基底为单晶硅。

3.如权利要求1所述的热致发声器阵列，其特征在于，所述基底的表面相邻的热致发声器单元的热致发声元件相互绝缘设置。

4.如权利要求1所述的热致发声器阵列，其特征在于，所述基底的表面具有多个切割线，所述多个热致发声器单元通过所述多个切割线相互独立设置。

5.如权利要求1所述的热致发声器阵列，其特征在于，每个热致发声器单元中的所述热致发声元件与所述基底的表面之间进一步设置有一绝缘层。

6.如权利要求1所述的热致发声器阵列，其特征在于，每个热致发声器单元中，所述热致发声元件设置于所述基底表面与所述第一电极或第二电极之间。

7.如权利要求1所述的热致发声器阵列，其特征在于，每个热致发声器单元中，所述第一电极和第二电极设置于所述热致发声元件与基底表面之间。

8.如权利要求1所述的热致发声器阵列，其特征在于，每个热致发声器单元中，所述基底表面相邻的凹槽之间为凸部，所述热致发声器单元包括多个第一电极与多个第二电极交替设置在所述凸部上，多个第一电极相互电连接，多个第二电极相互电连接。

9.如权利要求1所述的热致发声器阵列，其特征在于，所述热致发声元件包括一碳纳米管结构，所述碳纳米管结构由多个碳纳米管组成，该多个碳纳米管与所述基底的表面大致平行且沿同一方向择优取向延伸。

10.如权利要求9所述的热致发声器阵列，其特征在于，所述沿延伸方向上相邻的碳纳米管首尾相连。

11.如权利要求9所述的热致发声器阵列，其特征在于，所述凹槽在所述基底的表面延伸，所述碳纳米管的延伸方向与所述凹槽的延伸方向成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。

12.如权利要求9所述的热致发声器阵列，其特征在于，每个热致发声器单元中，所述热致发声元件在所述凹槽位置包括多个平行且间隔设置的碳纳米管线。

13.如权利要求1所述的热致发声器阵列，其特征在于，所述凹槽的深度为100微米至200微米，所述凹槽的宽度大于等于0.2毫米且小于1毫米。

14.一种热致发声器阵列，其特征在于，包括：

一基底，该基底为硅基底，该基底具有一表面，在该表面设置有多个热致发声器单元；

每个热致发声器单元进一步包括：

多个均匀分布且相互间隔的凹部设置在所述基底的表面；

至少一第一电极与至少一第二电极间隔设置，相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹部；

一热致发声元件贴附于基底所述表面且与所述至少一第一电极与至少一第二电极电连接，所述热致发声元件在所述多个凹部位置悬空设置。

15.如权利要求14所述的热致发声器阵列，其特征在于，所述凹部为凹孔，所述凹孔在所述基底的表面呈阵列式或交错式排列，所述凹孔的深度为100微米至200微米。