[发明专利]发声装置有效
申请号: | 201210471134.2 | 申请日: | 2012-11-20 |
公开(公告)号: | CN103841502B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 魏洋;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H04R23/00 | 分类号: | H04R23/00 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发声 装置 | ||
1.一种发声装置,其包括:
一PCB板;
一发声芯片安装在该PCB板上,该发声芯片包括一扬声器;该扬声器包括一基底,一设置于该基底表面的热致发声元件,一第一电极和一第二电极;该第一电极和第二电极间隔设置且分别与所述热致发声元件电连接,所述基底为一硅基片,所述基底的第一表面具有多个凹凸结构,所述凹凸结构定义多个交替设置的凸部与凹部,所述热致发声元件部分设置于该凸部顶面上,部分则通过该凹部悬空设置,所述凹部的深度为100微米至200微米;
一集成电路芯片安装在该PCB板上,该发声芯片和该集成电路芯片通过该PCB板电连接,该集成电路芯片输出音频电信号给所述发声芯片,所述发声芯片根据输入的信号间歇性地加热周围介质,使周围介质热胀冷缩并向更远处进行热交换,形成声波。
2.如权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述发声芯片进一步包括:一具有至少一开孔的封装壳体;该扬声器收容于该封装壳体内;该封装壳体具有至少两个引脚分别与该第一电极和一第二电极电连接。
3.如权利要求2所述的发声装置,其特征在于,所述封装壳体包括一基板以及一保护罩,所述扬声器设置于该基板的一表面,且所述保护罩将该扬声器罩住。
4.如权利要求3所述的发声装置,其特征在于,所述保护罩具有一环形侧壁以及一与该环形侧壁连接的底壁,且该底壁具有多个开孔。
5.如权利要求2所述的发声装置,其特征在于,所述封装壳体包括一具有凹部的基板以及一保护网,所述扬声器设置于该基板的凹部内,所述保护网将该凹部覆盖,且所述保护网具有多个开孔。
6.如权利要求5所述的发声装置,其特征在于,所述保护网为一金属网或纤维网。
7.如权利要求2所述的发声装置,其特征在于,所述PCB板具有多个插孔,所述发声芯片通过所述至少两个引脚可拆卸式安装于该PCB板上。
8.如权利要求2所述的发声装置,其特征在于,所述热致发声元件设置于所述基底与所述多个开孔之间,且正对该多个开孔设置。
9.如权利要求2所述的发声装置,其特征在于,所述热致发声元件包括一碳纳米管结构,且该碳纳米管结构至少部分区域悬空设置。
10.如权利要求9所述的发声装置,其特征在于,所述碳纳米管结构为由多个碳纳米管组成的自支撑结构,且该多个碳纳米管沿同一方向延伸。
11.如权利要求9所述的发声装置,其特征在于,所述碳纳米管结构包括一碳纳米管膜,所述碳纳米管膜为一由若干碳纳米管组成的自支撑结构,且所述若干碳纳米管沿同一方向择优取向排列。
12.如权利要求9所述的发声装置,其特征在于,所述碳纳米管结构包多个碳纳米管线,所述碳纳米管线包括多个碳纳米管沿该碳纳米管线的长度方向平行排列或沿该碳纳米管线的长度方向呈螺旋状排列。
13.如权利要求2所述的发声装置,其特征在于,所述基底的第一表面具有一绝缘层,所述热致发声元件部分设置于该凸部顶面的绝缘层上,部分则通过该凹部悬空设置。
14.如权利要求13所述的发声装置,其特征在于,所述基底的面积为25平方毫米至100平方毫米。
15.如权利要求13所述的发声装置,其特征在于,所述凹部的宽度为0.2毫米~1毫米。
16.如权利要求13所述的发声装置,其特征在于,所述凹部为多个相互平行且均匀间隔分布的凹槽,每相邻两个凹槽之间的槽间距为20微米~200微米,相邻的凹槽之间为凸部。
17.如权利要求16所述的发声装置,其特征在于,所述第一电极和第二电极的延伸方向平行于所述凹槽的延伸方向,所述热致发声元件中的碳纳米管的延伸方向垂直于与凹槽的延伸方向。
18.如权利要求13所述的发声装置,其特征在于,所述扬声器包括多个第一电极和多个第二电极,该多个第一电极与多个第二电极交替设置在凸部的顶面,多个第一电极电连接,多个第二电极电连接。
19.如权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述集成电路芯片包括音频电信号的功率放大电路和直流偏置电路。
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