[发明专利]热致发声装置

权利要求书

1.一种热致发声装置，包括：

一基底，具有一第一表面以及相对的第二表面；

一热致发声元件，设置于所述基底的第一表面并与所述基底绝缘设置；以及

一第一电极和一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接；

其特征在于，所述基底为一硅基底，所述硅基底的第一表面形成有多个相互平行且间隔设置的凹槽，所述凹槽的深度为100微米至200微米，所述热致发声元件包括一层状碳纳米管结构，该层状碳纳米管结构在所述凹槽处悬空设置。

2.如权利要求1所述的热致发声装置，其特征在于，所述基底的面积为25平方毫米至100平方毫米。

3.如权利要求1所述的热致发声装置，其特征在于，所述凹槽的宽度大于等于0.2毫米且小于1毫米。

4.如权利要求1所述的热致发声装置，其特征在于，所述层状碳纳米管结构由多个碳纳米管组成，该多个碳纳米管沿同一方向延伸，且所述多个碳纳米管的延伸方向与所述凹槽的延伸方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。

5.如权利要求4所述的热致发声装置，其特征在于，所述层状碳纳米管结构包括一碳纳米管膜，所述碳纳米管膜由多个沿同一方向择优取向延伸的碳纳米管组成，该多个碳纳米管平行于所述基底的第一表面。

6.如权利要求4所述的热致发声装置，其特征在于，所述层状碳纳米管结构在所述凹槽位置包括多个相互平行且间隔设置的碳纳米管线。

7.如权利要求4所述的热致发声装置，其特征在于，所述层状碳纳米管结构包括多个平行且间隔设置的碳纳米管线，所述多个碳纳米管线的延伸方向与所述凹槽的延伸方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度，所述碳纳米管线包括多个碳纳米管沿该碳纳米管线的长度方向平行排列或沿该碳纳米管线的长度方向呈螺旋状排列。

8.如权利要求6所述的热致发声装置，其特征在于，相邻碳纳米管线之间的间隔为0.1微米至200微米。

9.如权利要求1所述的热致发声装置，其特征在于，所述热致发声元件通过一设置于基底第一表面的绝缘层与所述基底绝缘。

10.如权利要求1所述的热致发声装置，其特征在于，进一步包括多个第一电极及多个第二电极交替设置于相邻所述凹槽之间的基底表面，所述多个第一电极形成一第一梳状电极，多个第二电极形成一第二梳状电极，所述第一梳状电极和第二梳状电极相互交错的插入设置。

11.如权利要求1所述的热致发声装置，其特征在于，所述基底的第二表面进一步包括一集成电路芯片与所述热致发声元件电连接，向所述热致发声元件输入信号。

12.如权利要求11所述的热致发声装置，其特征在于，所述集成电路芯片通过微电子工艺直接制备在该硅基底上。

13.如权利要求12所述的热致发声装置，其特征在于，所述集成电路芯片分别与所述第一电极和第二电极电连接，输出音频电信号给所述热致发声元件。

14.一种热致发声装置，包括：

一基底，具有一第一表面以及相对的第二表面；

一热致发声元件，设置于所述基底的第一表面并与所述基底绝缘设置；以及

一第一电极和一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接；

其特征在于，所述基底为一硅基底，所述基底的第一表面形成有多个均匀分布且间隔设置的凹部，所述凹部的深度为100微米至200微米，所述热致发声元件包括一层状碳纳米管结构，该层状碳纳米管结构在所述凹部处悬空设置。

15.如权利要求14所述的热致发声装置，其特征在于，所述基底的第二表面进一步设置有与第一表面相同的凹部和热致发声元件。

16.如权利要求14所述的热致发声装置，其特征在于，所述凹部为呈阵列设置的多个凹孔。