[发明专利]纳米材料TiO2改性CHILON及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米材料TiO₂改性CHILON，其特征在于：由纳米材料TiO₂改性CHILON二元复合构成，所述纳米材料TiO₂与CHILON质量百分比为：1%-7%。

2.根据权利要求1所述的纳米材料TiO₂改性CHILON，其特征在于：所述纳米材料TiO₂与CHILON质量百分比分别为：1%、3%、5%或者7%。

3.一种纳米材料TiO₂改性CHILON的制备方法，其特征在于依次包括以下步骤：　　

一次真空干燥：采用真空干燥箱对CHILON粉末进行真空干燥，真空干燥为温度为120℃，时间为2小时；

高速混合：采用高速混合机对CHILON粉末与TiO₂粉末进行混料，以使CHILON粉末与TiO₂粉末均匀共混；混料时选择6级转速，即1450r/min，混到均匀即可；所述TiO₂和CHILON的质量百分比为1%-7%；

挤出造粒：使用双螺杆配混挤出机对经过高速混合步骤处理后的CHILON粉末与TiO₂粉末的混合物料进行挤出造粒，形成挤出配料，再将挤出配料放在常温水中冷却至常温，然后将冷却后的挤出配料切粒，形成3毫米长左右的圆柱形颗粒物料；

二次真空干燥：使用真空干燥箱对颗粒物料进行真空干燥处理，真空干燥时温度为100℃，时间为24个小时；

注塑成型：采用常规注塑方法，将经过二次真空干燥处理后的颗粒物料制成符合要求的形状；注塑成型的射胶压力为135kg，射胶保压时间为50秒，储料压力为120kg，储料速度为60cm³/s，烘料温度为160℃，模温为180℃，射嘴温度为345℃；加热时一段温度为355℃，二段温度为355℃，三段温度为355℃，四段温度为330℃；保压压力为115kg；冷却时间为55秒。

4.根据权利要求3所述的纳米材料TiO₂改性CHILON的制备方法，其特征在于：所述纳米材料TiO₂与CHILON质量百分比分别为：1%、3%、5%或者7%。