[发明专利]一种基于CMOS工艺的低温度系数对数放大器

权利要求书

1.一种基于CMOS工艺的低温度系数对数放大器，其特征在于：该对数放大器包括基本对数电路、温度补偿放大电路、感应温度变化电路和基准与偏置产生电路；其中，

基本对数电路，对输入信号作对数转化，获得对数信号并输出给温度补偿放大电路，该对数信号具有与绝对温度成正比的温度系数；

感应温度变化电路，用于产生控制信号，以控制温度补偿放大电路的工作；

温度补偿放大电路，实现对上述对数信号的温度系数的消除；

基准和偏置产生电路，给基本对数电路和感应温度变化电路提供基准电压、电流，并给感应温度变化电路提供所需要的与绝对温度成正比的电流。

2.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的低温度系数对数放大器，其特征在于：

基本对数电路包括第一电阻（R0），第一运算跨导放大器（OTA1），第一NPN型双极晶体管（Q1）和第二NPN型双极晶体管（Q2），第一缓冲器（B），第一恒流源（I0）以及第四恒流源（I3）；

温度补偿放大电路包括第二PMOS管（M2）和第三PMOS管（M3），第三电阻（R2）以及第二运算跨导放大器（OTA2）；

感应温度变化电路包括第二电阻（R1），第三运算跨导放大器（OTA3），第二恒流源（I1）和第三恒流源（I2）以及第一PMOS管（M3），其中I2是与绝对温度成正比的电流源；

其连接关系如下：第一电阻（R0）的正端接输入信号，其负端接第一运算跨导放大器（OTA1）的负相输入端；第一NPN型双极晶体管（Q1）的集电极分别与其基极、第一运算跨导放大器（OTA1）的负相输入端以及第四恒流源（I3）相连；第一NPN型双极晶体管（Q1）的发射极接第一运算跨导放大器（OTA1）的输出端，同时第一NPN型双极晶体管（Q1）的发射极经第一缓冲器（B）与第二NPN型双极晶体管（Q2）的发射极相连接；第一运算跨导放大器（OTA1）的正相输入端接共同偏置电压；第二NPN型双极晶体管（Q2）的基极和集电极相连，并分别与第二运算跨导放大器（OTA2）的正相输入端、第一恒流源（I0）连接；第二PMOS管（M2）的源极接共同偏置电压，其漏极接第二运算跨导放大器（OTA2）的负相输入端和第三PMOS管（M3）的源极；第三PMOS管（M3）的栅极接第二运算跨导放大器（OTA2）的输出端；第三PMOS管（M3）的漏极接第三电阻（R2）的正端，同时接输出信号；第二电阻（R1）的正端与共同偏置电压和第一PMOS管（M1）的源极连接，其负端接到第三运算跨导放大器（OTA3）的反相输入端，同时与第三恒流源（I2）连接；第一PMOS管（M1）的栅极分别与第二PMOS管的栅极、第三运算跨导放大器（OTA3）的输出端相连接；第一PMOS管（M1）的漏极分别与第三运算跨导放大器（OTA3）的同相输入端、第二电流源（I1）连接。