[发明专利]一种处理铜/铜阻挡层抛光液的废液的方法无效
申请号: | 201210441948.1 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN103803715A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 周文婷;荆建芬;王雨春 | 申请(专利权)人: | 安集微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | C02F5/08 | 分类号: | C02F5/08 |
代理公司: | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人: | 李佳铭 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 处理 阻挡 抛光 废液 方法 | ||
1.一种处理铜/铜阻挡层抛光液的废液的方法,其特征在于:所述方法包括采用化学溶液处理所述废液,所述化学溶液包含氧化剂。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述铜/铜阻挡层抛光液的废液包含能与铜离子生成凝胶的化合物。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于:所述能与铜离子生成凝胶的化合物为唑类化合物和/或羧基类聚合物及其盐。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于:所述唑类化合物及其衍生物选自1,2,3-三氮唑,1H-四氮唑,1,2,4-三氮唑,1-甲基-5氨基四氮唑,5-甲基四氮唑,1-氨基-5-巯基-1,2,4四氮唑,5-苯基四氮唑和1-苯基-5-巯基四氮唑,苯并三氮唑,5-甲基-1,2,3-苯并三氮唑,5-羧基苯并三氮唑、1-羟基-苯并三氮唑,3-氨基-1,2,4-三氮唑、3,5-二氨基-1,2,4-三氮唑、5-羧基-3-氨基-1,2,4-三氮唑、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑、5-乙酸-1H-四氮唑、5-甲基四氮唑和5-氨基-1H-四氮唑中的一种或多种。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于:所述的唑类化合物的浓度为0.001-3wt%。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于:所述的唑类化合物的浓度为0.001-1wt%。。
7.如权利要求3所述的方法,其特征在于:所述羧基类聚合物选自聚丙烯酸,聚甲基丙烯酸,丙烯酸酯共聚物,聚羧酸和聚丙烯酰胺中的一种或多种。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于:所述羧基类聚合物的分子量为1000-300000。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于:所述羧基类聚合物的分子量为1000-10000。
10.如权利要求3所述的方法,其特征在于:所述羧基类聚合物的浓度为0.001-3wt%。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于:所述羧基类聚合物的浓度为0.001-1wt%。
12.如权利要求3所述的方法,其特征在于:所选盐为钾盐,钠盐和/或氨盐。
13.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述氧化剂选自过氧化氢,过碘酸钾,碘化钾,溴酸钾,高锰酸钾和过硫酸铵中的一种或多种。
14.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述氧化剂的质量百分比浓度为0.1~30wt%。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于:所述氧化剂的质量百分比浓度为0.5~20wt%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安集微电子(上海)有限公司,未经安集微电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210441948.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。