[发明专利]一种环形炉用SiSiC 质高温陶瓷炉底板及其制备方法

权利要求书

1.一种环形炉用SiSiC质高温陶瓷炉底板的制备方法，其特征在于采用以下步骤：

(1)配料：以重量份计称取30~50份SiC大颗粒、15~35份SiC小颗粒、30~45份SiC细粉和1~10份炭粉，然后再加入4~9份结合剂，所述结合剂选自酚醛树脂、硅溶胶或水玻璃；加入混碾机中混合碾制成便于成型的泥料；

(2)成型：将步骤(1)的泥料装入模型中进行成型制成炉底板湿坯；

(3)干燥：将所述湿坯装入烘干炉中经110℃、保温32~72h烘干后制成炉底板生坯；

(4)渗硅反应烧结：将所述生坯置于反应烧结炉中在1700~1850℃和真空度小于100Pa的条件下保温6~36小时进行高温渗硅反应烧结制得炉底板毛坯；

(5)将毛坯进行机械加工制得环形炉用SiSiC质高温陶瓷炉底板。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的SiC大颗粒、SiC小颗粒和SiC细粉的纯度为SiC≥92wt%，所述大颗粒的粒度为1~3mm，小颗粒的粒度小于1mm，细粉的粒度小于0.074mm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述炭粉的纯度为C≥90%，粒度小于0.074mm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的成型方法是捣打成型或振动成型。

5.根据权利要求1~4项中任一项权利要求所述的制备方法得到的环形炉用SiSiC质高温陶瓷炉底板。