[发明专利]一种低功耗程控放大电路无效
| 申请号: | 201210436922.8 | 申请日: | 2012-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN102931928A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
| 发明(设计)人: | 杨向萍 | 申请(专利权)人: | 昆山北极光电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H03F3/04 | 分类号: | H03F3/04 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215301 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 功耗 程控 放大 电路 | ||
1.一种低功耗程控放大电路,其特征在于,包括运算放大器(U1)、电阻(R1)、(R2)组成的放大电路,P沟道MOS管(Q1)、MCU、电阻(R3),电源VCC组成的程控电路,其中:
所述运算放大器(U1)正向输入端与输入信号Vin串联,反相输入端与地线参考电平之间串联所述电阻(R1),与所述运算放大器(U1)输出OUT1之间串联所述电阻(R2),所述运算放大器(U1)输出OUT1与所述MCU的A/D引脚相连;
所述P沟道MOS管(Q1)源极与所述电源VCC串联,所述P沟道MOS管(Q1)漏极与所述运算放大器(U1)电源引脚串联,所述P沟道MOS管(Q1)栅极与所述MCU的I/O引脚之间串联所述电阻(R3)。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗程控放大电路,其特征在于,所述的P沟道MOS管(Q1)漏极与源极之间允许通过的电流大于所述运算放大器(U1)的工作电流。
3.根据权利要求1所述的一种低功耗程控放大电路,其特征在于,所述的P沟道MOS管(Q1)栅极与源极之间允许承受的电压大于所述MCU的I/O引脚的输出电压。
4.根据权利要求1所述的一种低功耗程控放大电路,其特征在于,所述电源VCC与所述MCU的I/O引脚的输出电压之间的差值大于等于所述的P沟道MOS管(Q1)栅极的开启电压,所述的P沟道MOS管(Q1)漏极与源极开启,允许通过用于提供所述运算放大器(U1)的工作电流。
5.根据权利要求1所述的一种低功耗程控放大电路,其特征在于,所述电源VCC与所述MCU的I/O引脚的输出电压之间的差值小于所述的P沟道MOS管(Q1)栅极的开启电压,所述的P沟道MOS管(Q1)漏极与源极关闭,不允许通过用于提供所述运算放大器(U1)的工作电流。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山北极光电子科技有限公司,未经昆山北极光电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210436922.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于爬虫机器人的搜救系统
- 下一篇:一种玻璃/金属复合材料及其制备方法





