[发明专利]单根纳米线或纳米管低速驱动方法及其装置无效

专利信息
申请号: 201210434562.8 申请日: 2012-11-01
公开(公告)号: CN102976267A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 胡俊辉;李宁;周玉杰;李华清 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B82Y40/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 曹翠珍
地址: 210016*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 纳米 低速 驱动 方法 及其 装置
【权利要求书】:

1.单根纳米线或纳米管低速驱动装置,其特征在于包括超声换能器,微针一端通过连接板连接至超声换能器,另一端浸没在纳米线或纳米管悬浊液薄膜中,悬浊液薄膜置于基板之上。

2.根据权利要求1所述的单根纳米线或纳米管低速驱动装置,其特征在于所述的连接板为细长矩形铜板,微针为玻璃纤维。

3.根据权利要求1所述的单根纳米线或纳米管低速驱动装置,其特征在于微针浸没在悬浊液中的一端直径均匀。

4.根据权利要求1所述的单根纳米线或纳米管低速驱动装置,其特征在于基板采用表面光滑的硅片制成。

5.根据权利要求1所述的单根纳米线或纳米管低速驱动装置,其特征在于微针浸没在悬浊液薄膜中的一端与基板表面的距离保证声学涡流足够。

6.根据权利要求1所述的单根纳米线或纳米管低速驱动装置,其特征在于所述连接板的长度为10~100mm,厚度为0.1~3.0mm, 宽度为0.1-5 mm;所述微针的长度为0.5~6mm,直径为1~30μm。

7.基于权利要求1所述装置的单根纳米线或纳米管的低速驱动方法,其特征在于包括以下步骤:

a、将纳米线或纳米管悬浊液薄膜置于基板上,移动微针使微针自由端浸没于纳米线或纳米管悬浊液薄膜,微针端部与基板表面的距离保证声学涡流足够;

b、利用超声换能器对连接板的一端励振,进而激励连接在连接板另一端的微针发生椭圆振动,振动的微针在其周围产生环绕端部的声学涡流,利用该涡流对悬浊液中的银纳米线进行旋转驱动,进而驱动纳米线或纳米管围绕微针的中心低速转动;

c、关闭超声换能器停止励振,转动的纳米线或纳米管停止转动,从而完成对单根纳米线或纳米管的旋转操控。

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