[发明专利]陶瓷金属卤化物灯有效
| 申请号： | 201210425404.6 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103094022A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 笹井泰 | 申请（专利权）人： | 岩崎电气株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/395 | 分类号： | H01J9/395;H01J61/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 金属卤化物灯 | ||
1.一种陶瓷金属卤化物灯的制造方法，所述陶瓷金属卤化物灯的发光管中连同规定量的水银、金属卤化物以及惰性气体一起封入有AgI，在该制造方法中，
使AgI/金属卤化物总量变化来测量光束的变化，根据可容许的光束的降低率规定AgI/金属卤化物总量的上限值，确定AgI的上限量，
使AgI/金属卤化物总量变化来测量灯电压的变化，根据可容许的灯电压的降低率规定AgI/金属卤化物总量的下限值，确定AgI的下限量，其中，所述AgI/金属卤化物总量为重量比，
将所述AgI的上限量和下限量的范围内的量的AgI连同其他封入物质封入发光管内，完成发光管，
使用所述发光管来制作灯。
2.一种陶瓷金属卤化物灯的制造方法，所述陶瓷金属卤化物灯的发光管中连同规定量的水银、金属卤化物以及惰性气体一起封入有AgI，在该制造方法中，
使AgI/金属卤化物总量变化来测量灯电压的变化，根据可容许的灯电压的降低率规定AgI/金属卤化物总量的下限值，确定AgI的下限量，
使AgI/金属卤化物总量变化来测量光束的变化，根据可容许的光束的降低率规定AgI/金属卤化物总量的上限值，确定AgI的上限量，其中，所述AgI/金属卤化物总量为重量比，
将所述AgI的上限量和下限量的范围内的量的AgI连同其他封入物质封入发光管内，完成发光管，
使用所述发光管来制作灯。
3.一种陶瓷金属卤化物灯，其通过权利要求1或2所记载的制造方法制造而制成。
4.一种陶瓷金属卤化物灯，其使用了封入有由下式所规定的碘化银或溴化银的发光管，
0.1≤AgI/金属卤化物总量≤0.35
0.1≤AgBr/金属卤化物总量≤0.35，
其中，所述AgI/金属卤化物总量、AgBr/金属卤化物总量为重量比。
5.根据权利要求1到4中的任意一项所述的陶瓷金属卤化物灯，其中，对于所使用的发光管，电极架与细管部之间的间隙上下合计为0.1±0.05mm。
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