[发明专利]Cu2S-ZnS-Cu2S纳米异质结光吸收剂及其合成方法在审
申请号: | 201210421679.2 | 申请日: | 2012-10-26 |
公开(公告)号: | CN102921005A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 黄烽;徐桔;王元生 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | A61K41/00 | 分类号: | A61K41/00;A61N5/067;C01G3/12;C01G9/08;B82Y30/00;A61P35/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cu sub zns 纳米 异质结光 吸收剂 及其 合成 方法 | ||
1.三明治状Cu2S-ZnS-Cu2S半导体纳米异质结光吸收剂,其特征为:两个直径为20到40纳米、厚度7到11纳米的圆片状Cu2S纳米晶中间异质外延生长出一段长度为70到100纳米的ZnS纳米短棒,形成夹心结构。
2.一种权利要求1所述的半导体纳米异质结光吸收剂的制备方法,采用两步法合成,包括如下步骤:
(1)将摩尔比为1:12-50的油酸铜和十二硫醇混合溶于油胺;在氮气气氛中,在210℃-230℃温度下反应30分钟,合成片状Cu2S纳米晶;
(2)将0.025-0.050毫摩尔的圆片状Cu2S纳米晶分散于油胺中,在氮气气氛下加热到230℃;将含有摩尔比为1:6-24的油酸锌和十二硫醇混合溶液注入到反应液中,在230℃-240℃温度下反应15分钟,合成所述的半导体纳米异质结光吸收剂。
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