[发明专利]检测存储设备坏块的方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储技术，尤其涉及一种检测存储设备坏块的方法和装置。

背景技术

Nand闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，由于其编程速度快、擦除时间短，在现有产品的应用中极具吸引力。根据技术方式，Nand闪存分为单层单元（Single Layer Cell，简称SLC）Nand闪存和多层单元（Multi-Level Cell，简称MLC）Nand闪存。SLC Nand闪存的每个存储单元中只有1bit数据，而MLC Nand闪存的每个存储单元存储2bit数据。与SLC Nand闪存相比，MLC Nand闪存的容量大、成本低，但由于MLC Nand闪存的存储单元中存放的资料较多，结构复杂，出错的几率大，容易发生位翻转，在使用MLCNand闪存时，需要使用纠错算法进行数据的校验和纠错。

现有技术中，针对Nand闪存的使用过程中新增坏块的检测主要采用以下两种方案。方案一：只有在擦除失败的时候，将块标记为坏块，如果在写的过程中出现位翻转现象，直接返回失败给上层文件系统处理，如果在读的过程中出现纠错算法不能纠正的情况，也直接返回失败给上层文件系统处理。方案二：在擦除失败的时候，将块标记为坏块，并且，如果在写的过程中出现位翻转现象，将块标记为坏块，如果在读的过程中出现纠错算法不能纠正的情况，也将块标记为坏块。

采用上述两种检测坏块的方法，容易造成由于坏块太多而找不到可用块进行写操作或数据无法读出的现象，甚至由于坏块数量太多使得芯片报废，从而导致存储设备的可靠性差。

发明内容

本发明的第一个方面是提供一种检测存储设备坏块的方法，用以解决现有技术中的缺陷，提高存储设备的可靠性。

本发明的另一个方面是提供一种检测存储设备坏块的装置，用以解决现有技术中的缺陷，提高存储设备的可靠性。

本发明的第一个方面是提供一种检测存储设备坏块的方法，包括：

向目标块中写入目标数据和目标数据对应的普通校验强度的校验码；

比较目标数据与目标块中存储的目标数据，获取目标块中存储的目标数据中发生翻转的位的数量；

当目标块中存储的目标数据中发生翻转的位的数量大于或等于预设的第一校验水线并小于预设的第二校验水线时，为目标块添加准坏块标记，生成目标数据对应的高级校验强度的校验码并采用高级校验强度的校验码更新目标块中写入的普通校验强度的校验码；

当目标块中存储的目标数据中发生翻转的位的数量大于或等于第二校验水线时，为目标块添加坏块标记。

如上所述的方法，其中，向目标块中写入目标数据和目标数据对应的普通校验强度的校验码包括：获取一个空闲块；判断空闲块是否携带坏块标记；如果是，返回获取一个空闲块的步骤；否则，以空闲块作为目标块，向目标块中写入目标数据和目标数据对应的普通校验强度的校验码；

比较目标数据与目标块中存储的目标数据，获取目标块中存储的目标数据中发生翻转的位的数量包括：从目标块中读取存储的目标数据，比较目标数据与目标块中存储的目标数据，统计目标块中存储的目标数据中发生翻转的位的数量。

本发明的另一个方面是提供一种检测存储设备坏块的方法，包括：

当目标块携带准坏块标记时，从目标块中读取目标数据和目标数据对应的高级校验强度的校验码，根据高级校验强度的校验码，采用高级校验强度的纠正算法纠正目标块中存储的目标数据；

当目标块未携带准坏块标记并且未携带坏块标记时，从目标块中读取目标数据和目标数据对应的普通校验强度的校验码，根据普通校验强度的校验码，采用普通校验强度的纠正算法纠正目标块中存储的目标数据。

如上所述的方法，其中，采用普通校验强度的纠正算法纠正目标块中存储的目标数据之后，还包括：

根据从目标块中读取的目标数据和目标数据对应的普通校验强度的校验码，获取目标块中存储的目标数据中发生翻转的位的数量；

当目标块中存储的目标数据中发生翻转的位的数量大于或等于预设的第一校验水线时，为目标块添加准坏块标记，生成目标数据对应的高级校验强度的校验码并采用高级校验强度的校验码更新目标块中写入的普通校验强度的校验码，向文件系统返回采用普通校验强度的纠正算法纠正的目标块中存储的目标数据；

当目标块中存储的目标数据中发生翻转的位的数量小于第一校验水线时，向文件系统返回采用普通校验强度的纠正算法纠正的目标块中存储的目标数据。

如上所述的方法，其中，采用高级校验强度的纠正算法纠正目标块中存储的目标数据之后，还包括：