[发明专利]一种六方片状结构Sm2O3 半导体纳米晶的制备方法无效
申请号: | 201210401417.X | 申请日: | 2012-10-19 |
公开(公告)号: | CN102897818A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 殷立雄;黄剑锋;郝巍;李嘉胤;吴建鹏;曹丽云;费杰 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C01F17/00 | 分类号: | C01F17/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 片状 结构 sm sub 半导体 纳米 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种Sm2O3纳米晶的制备方法,特别涉及一种溶剂热法制备六方片状结构Sm2O3半导体纳米晶的方法。
背景技术
Sm2O3是一种淡黄色粉末,易潮解,不溶于水,易溶于无机酸。Sm2O3是新一代的能量转化材料、半导体材料及高性能催化剂材料。纳米Sm2O3还可以用于陶瓷电容器。在磁性材料方面,纳米Sm2O3主要用于制备稀土永磁材料;此外Sm2O3薄膜还可用于电子器体、磁性材料和特种玻璃的滤光器中,具有广阔的发展应有前景。
Sm2O3晶体具有三种晶型,属于多晶相转化的氧化物,室温下为单斜晶相,在常温常压下为淡黄色半导体,其熔点为2269℃,沸点为3507℃。当温度高于850℃时,单斜晶相转变为立方晶相,在2000℃左右转变为六方晶相。随着晶型的转变Sm3+的基态发生了一定的变化,从而导致氧化钐的性能发生了变化。这些特殊的结构在磁学、电学以及光学方面会产生一些新颖的特点,因而也引起了人们极大的研究热情。
目前所报道的制备Sm2O3的方法主要为低温自蔓延燃烧法[薄丽丽,杨武,倪刚,何晓燕,吕维莲.低温自蔓延燃烧法制备纳米Sm2O3,西北师范大学学报,2005,41(5):40-42];溶胶-凝胶法[邓庚凤.钟淑梅.陈辉煌.周小华.溶胶-凝胶法制备超细氧化钐的工艺研究,稀土,2007,28(2):40-42]和微乳液法[耿寿花,朱文庆,常鹏梅,陈亚芍.反相微乳液介质中纳米Sm2O3的制备,2008,24(9):1609-1614];还有固相烧结法[Yanglong Hou,Zhichuan Xu,Sheng Peng,Chuanbing Rong,J.Ping Liu,Shouheng Sun,A Facile Synthesis of SmCo5Magnets from Core/Shell Co/Sm2O3Nanoparticles,Advanced Materials 2007,19:3349-3352]。低温自蔓延燃烧法和溶胶-凝胶法是在氧气气氛下高温合成Sm2O3,粉体易团聚并且溶胶-凝胶的工艺周期长,对Sm2O3原料的利用率很小;并且固相烧结法在还原性气氛条件下烧结,也会引起纳米晶的团聚,颗粒异常长大。同时微乳液法所制备的前躯体也需经高温热处理才能获得Sm2O3纳米晶,这样易引入杂质,且粉体易团聚。为了达到实用化的目的,必须开发生产成本低且方便可行的Sm2O3纳米晶制备工艺。
发明内容
本发明的目的在于提供一种设备简单,容易控制,且比微波水热法以及普通水热法温度低,所需压力较易获得,可以控制生成特定的形貌,低成本的六方片状结构Sm2O3半导体纳米晶的制备方法。按本发明的制备方法制成的Sm2O3纳米晶纯度高,分散性好,晶型单一,晶粒生长可控。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:
1)将分析纯的SmCl3·6H2O加入异丙醇中搅拌制得Sm3+浓度为0.2~1.5mol/L的溶液A;
2)将溶液A在45~55℃加热搅拌采用NaOH溶液调节溶液A的pH值为7~12,继续搅拌形成前驱溶液,随后向前驱溶液中加入CTAB,其加入量与产物理论产量的物质的量之比为n=0.5~2.5;再次确定前驱溶液的pH值为7~12;
3)将前驱溶液倒入水热釜中,填充度控制在50~60%,然后密封水热釜,将其放入电热鼓风干燥箱中,控制水热温度为120~200℃,压力为2~20MPa,反应6~60小时,反应结束后自然冷却到室温;
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